1.5KE24C-GT3,1.5KE24C-GT3 pdf中文资料,1.5KE24C-GT3引脚图,1.5KE24C-GT3电路-Datasheet-电子工程世界

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Green Products

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= 10ms

, CAPACITANCE (pF)

1000

= 25°C

f = 1.0 MHz

sig

= 50mV p-p

Measured at

Zero Bias

100

Peak Value I

Half Value I

Measured at

Stand-off Voltage

100

10 X 1000 Waveform

as defined by R.E.A.

100

1000

t, TIME (ms)

Fig. 1 Pulse Waveform

RWM

, REVERSE STANDOFF VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Junction Capacitance

100

, PEAK PULSE POWER (kW)

IMPULSE

1.0

0.1

= 25°C

1.0

100

1000

10000

, PULSE WIDTH (µs)

Fig. 3 Pulse Rating Curve

PK PULSE DERATING (% PK PWR OR CURRENT)

, STEADY STATE POWER DISSIPATION (W)

100

5.0

Single Phase

Half-Wave 60Hz

Resistive or

Inductive Load

3.75

2.5

L = 9.5 mm

10 X 1000 Waveform

as defined by REA

1.25

40 x 40 x 1 mm Cu

100

125

150

175

200

, LEAD TEMPERATURE (°C)

Fig. 5, Steady State Power Derating

100 125 150 175

200

, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Fig. 4 Pulse Derating Curve

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SENSITRON

SEMICONDUCTOR

Data Sheet 5005, Rev. –

1500W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

1.5K-G SERIES

Green Products

DISCLAIMER:

1- The information given herein, including the specifications and dimensions, is subject to change without prior not ice to improve

product characteristics. Before ordering, purchasers are advised to contact the Sensitron Semiconductor sales department for the latest

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2- In cases where extremely high reliability is required (such as use in nuclear power control, aerospace and aviation, traffic equipment,

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means of users’ fail-safe precautions or other arrangement .

3- In no event shall Sensitron Semiconductor be liable for any damages that may result from an accident or any other cause during

operation of the user’s units according to the datasheet(s). Sensitron Semiconductor assumes no responsibility for any intellectual

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4- In no event shall Sensitron Semiconductor be liable for any failure in a semiconductor device or any secondary damage resulting from

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exceeding

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The

datasheet(s) may not be reproduced or duplicated, in any form, in whole or part, without the expressed writ ten permission of

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221 West Industry Court

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三星新专利揭秘：自拍摄像头/听筒可以卷到屏幕下面

在探索手机形态方面，三星的灵感可以说是总能源源不断地涌现出来。近日，据外媒报道，三星的最新屏幕专利曝光。在三星向美国专利和商标局（USPTO）提交的专利描述中显示，这一设计将允许屏幕在标准模式下显示出16：9的比例，而在充分拉伸时有一个更大的显示器，纵横比可达18：9。三星伸缩屏在标准模式下，屏幕比例为16：9，并且手机正面完全看不到摄像头和听筒，全部都是屏幕。当你需要打电话或者自拍时，...[详细]
无变压器的三相逆变器设计方案

无变压器的三相逆变器设计方案不间断电源UPS的发展演变史由梅兰日兰MGE UPS SYSTEMS批量化流水线生产的第一代不间断电源UPS为1970 年的MG240系列。 500)this.style.width=500;"> 图1：70年代MG240系列这个系列的UPS包括一个由降压式自耦变压器绕组供电的二极管整流器和一个与整流器相并联的、由自耦变压器的辅助二次...[详细]
苹果传明年Q1又推低价iPhone SE2

苹果今年推出iPhone 11，首度调降售价，引发市场追捧，据传苹果将趁胜追击，可能在明年第一季推出较低售价iPhone SE2，主要规格将与iPhone 8相似。天风国际证券分析师郭明錤发布报告指出，苹果可能会推出较低售价iPhone SE2，其外观设计跟主要规格将与iPhone 8相似，但是中央处理器将采用最新款的A13处理器。一般预料，如果苹果即将推出的低价iPhone真的采用A13处理...[详细]
三星Galaxy S11再曝：支持面部识别

今天上午，IT之家报道了XDA主编@MaxWinebach在Galaxy S10 One UI 2.0 Beta中发现了三星新增了对Exynos 9830和骁龙865支持的消息，这意味着三星Galaxy S11将搭载Exynos 9830/骁龙865双版本。现在，XDA主编@MaxWinebach透露了关于S11的更多消息，其在Face Service应用程序中发现的面部识别代码，@Max...[详细]
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摘要：经济上的可行性曾经是阻碍 FTTH 网络大量部署的主要障碍，现如今全世界已有超过四千万个FTTH连接，很明显那些过时的观念需要修改。这篇文章中，我们一起来分析 PON 网络是如何来解决这个“经济上可行性”问题的；以及在 GPON 、 EPON 选择上都有哪些优、劣势比较；最后，从波长、频谱的角度分析GPON/EPON和10G-PON，如何从GPON/EPON升级到10G-PON。从OD...[详细]
吸附在手机背面的充电宝：外形炫酷防水防尘

日前，国外的设计师Will Kail设计出了一款无线热插拔电池组充电宝Bunk，它可以磁性吸附在智能手机的背面，无需使用电池盒或者独立的移动电源。　　这款充电宝颜值颇高，具有三种纹理和八种不同的颜色样式，它通过强力磁铁吸附在专门的手机壳上面，轻薄的体积可以让用户基本忽略掉它，而且你可以一直把它吸附在手机背面，当你需要使用的时候呼出Bunk即可。　　Bunk内部采用了双线圈...[详细]
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在拜访电源客户时，我们常常遇到这样一个现象：测试高压时不同品牌的示波器测试的结果差别很大。有一次对比测试中我们发现测试大约450V的MOSFET的Vds电压，三台示波器的最大差别有50V左右; 同一品牌不同型号的示波器差别也很大; 同样的示波器不同探头测量结果有时差别也很大。对于电源客户而言，MOSFET的电压应力测试是一项关键指标，决定了电路的调试，电源的使用寿命，MOSFET器件的选型等。...[详细]
51单片机PWM温控风扇源代码

51系列单片机代码如下： #include reg52.h //调用单片机头文件 #define uchar unsigned char //无符号字符型宏定义变量范围0~255 #define uint unsigned int //无符号整型宏定义变量范围0~65535 //数码管段选定义 0 1 2 3 4 5 6 ...[详细]
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Bourns FLAT® GDT为Phoenix Contact最新TERMITRAB提供突波保护装置

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