1.5KE56E3/1,1.5KE56E3/1 pdf中文资料,1.5KE56E3/1引脚图,1.5KE56E3/1电路-Datasheet-电子工程世界

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1.5KE6.8 thru 1.5KE440CA

and 1N6267 thru 1N6303A

RANS

ORB

Transient Voltage Suppressors

Peak Pulse Power

1500W

Breakdown Voltage

6.8 to 440V

Case Style 1.5KE

Features

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

• Glass passivated junction

• 1500W peak pulse power capabililty on 10/1000µs

waveform, repetition rate (duty cycle): 0.05%

• Excellent clamping capability

• Low incremental surge resistance

• Very fast response time

• High temperature soldering guaranteed: 265

C/10 seconds,

0.375” (9.5mm) lead length, 5lbs. (2.3 kg) tension

• Includes 1N6267 thru 1N6303A

1.0 (25.4)

MIN.

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA.

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

Mechanical Data

Case:

Molded plastic body over passivated junction

Terminals:

Plated axial leads, solderable per MIL-STD-

750, Method 2026

Polarity:

For unidirectional types the color band denotes

the cathode, which is positive with respect to the anode

under normal TVS operation

Mounting Position:

Any

Weight:

0.045oz., 1.2g

Packaging codes/options:

1/1K per Bulk Box, 11K/box

4/1.4K per 13” Reel (52mm Tape), 4.2K/box

Dimensions in inches

and (millimeters)

1.0 (25.4)

MIN.

0.042 (1.07)

0.038 (0.96)

DIA.

Devices for Bidirectional Applications

For bi-directional, use C or CA suffix for types 1.5KE6.8 thru types 1.5KE440

(e.g. 1.5KE6.8C, 1.5KE440CA). Electrical characteristics apply in both directions.

Maximum Ratings and Characteristics

Parameter

Peak power dissipation with a 10/1000µs waveform

(1)

(Fig. 1)

= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

PPM

M(AV)

Limit

Minimum 1500

See Next Table

6.5

Unit

Peak pulse current wih a 10/1000µs waveform

(1)

Steady state power dissipation

at T

= 75

C, lead lengths 0.375” (9.5mm)

(2)

Peak forward surge current, 8.3ms

single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method) unidirectional only

(3)

Maximum instantaneous forward voltage

at 100A for unidirectional only

(4)

Typical thermal resistance junction-to-lead

Typical thermal resistance junction-to-ambient

Operating junction and storage temperature range

Notes:

(1)

(2)

(3)

(4)

FSM

200

θJL

θJA

, T

STG

3.5/5.0

–55 to +175

°C/W

Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25°C per Fig. 2

Mounted on copper pad area of 1.6 x 1.6” (40 x 40mm) per Fig. 5

Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum

= 3.5V for devices of V

(BR)

< 220V, and V

= 5.0 Volt max. for devices of V

(BR)

> 220V

11/7/00

1.5KE6.8 thru 1.5KE440CA

and 1N6267 thru 1N6303A

RANS

ORB

Transient Voltage Suppressors

Electrical Characteristics

JEDEC

Type

Number

1N6267

1N6267A

1N6268

1N6268A

1N6269

1N6269A

1N6270

1N6270A

1N6271

1N6271A

1N6272

1N6272A

1N6273

1N6273A

1N6274

1N6274A

1N6275

1N6275A

1N6276

1N6276A

1N6277

1N6277A

1N6278

1N6278A

1N6279

1N6279A

1N6280

1N6280A

1N6281

1N6281A

1N6282

1N6282A

1N6283

1N6283A

1N6284

1N6284A

1N6285

1N6285A

1N6286

1N6286A

1N6287

1N6287A

1N6288

1N6288A

1N6289

1N6289A

1N6290

1N6290A

1N6291

General

Semiconductor

Part

Number

+1.5KE6.8

+1.5KE6.8A

+1.5KE7.5

+1.5KE7.5A

+1.5KE8.2

+1.5KE8.2A

+1.5KE9.1

+1.5KE9.1A

+1.5KE10

+1.5KE10A

+1.5KE11

+1.5KE11A

+1.5KE12

+1.5KE12A

+1.5KE13

+1.5KE13A

+1.5KE15

+1.5KE15A

+1.5KE16

+1.5KE16A

+1.5KE18

+1.5KE18A

+1.5KE20

+1.5KE20A

+1.5KE22

+1.5KE22A

+1.5KE24

+1.5KE24A

+1.5KE27

+1.5KE27A

+1.5KE30

+1.5KE30A

+1.5KE33

+1.5KE33A

+1.5KE36

+1.5KE36A

+1.5KE39

+1.5KE39A

+1.5KE43

+1.5KE43A

+1.5KE47

+1.5KE47A

1.5KE51

1.5KE51A

1.5KE56

1.5KE56A

1.5KE62

1.5KE62A

1.5KE68

= 25°C unless otherwise noted)

Breakdown Voltage

(BR)

(V)

(1)

Min

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.00

9.50

9.90

10.5

10.8

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

18.0

19.0

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

27.0

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

35.1

37.1

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

Max

7.48

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

10.0

9.55

11.0

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

22.0

21.0

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

33.0

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

42.9

41.0

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

53.6

61.8

58.8

68.2

65.1

74.8

Test

Current

(mA)

1.0

Stand-off

Voltage

(V)

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

31.6

33.3

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

43.6

45.4

47.8

50.2

53.0

55.1

Maximum

Reverse

Leakage

at V

(4)

(µA)

1000

500

200

5.0

1.0

Maximum

Peak Pulse

Current

PPM

(2)

(A)

139

143

128

133

120

124

109

112

100

103

92.6

96.2

86.7

89.8

78.9

82.4

68.2

70.8

63.8

66.7

56.6

59.5

51.5

54.2

47.0

49.0

43.2

45.2

38.4

40.0

34.5

36.2

31.4

32.8

28.8

30.1

26.6

27.8

24.2

25.3

22.1

23.1

20.4

21.4

18.6

19.5

16.9

17.6

15.3

Maximum

Clamping

Voltage

at I

PPM

(V)

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

56.4

53.9

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

Maximum

Temp.

Coefficient

of V

(BR)

(% /

°C)

0.057

0.061

0.065

0.068

0.073

0.075

0.076

0.078

0.081

0.084

0.086

0.088

0.089

0.090

0.092

0.094

0.096

0.097

0.098

0.099

0.100

0.101

0.102

0.103

0.104

1.5KE6.8 thru 1.5KE440CA

and 1N6267 thru 1N6303A

RANS

ORB

Transient Voltage Suppressors

Electrical Characteristics

(Cont’d)

JEDEC

Type

Number

1N6291A

1N6292

1N6292A

1N6293

1N6293A

1N6294

1N6294A

1N6295

1N6295A

1N6296

1N6296A

1N6297

1N6297A

1N6298

1N6298A

1N6299

1N6299A

1N6300

1N6300A

1N6301

1N6301A

1N6302

1N6302A

1N6303

1N6303A

General

Semiconductor

Part

Number

1.5KE68A

1.5KE75

1.5KE75A

1.5KE82

1.5KE82A

1.5KE91

1.5KE91A

1.5KE100

1.5KE100A

1.5KE110

1.5KE 110A

1.5KE120

1.5KE120A

1.5KE130

1.5KE130A

1.5KE150

1.5KE150A

1.5KE160

1.5KE160A

1.5KE170

1.5KE170A

1.5KE180

1.5KE180A

1.5KE200

1.5KE200A*

1.5KE220

1.5KE220A*

1.5KE250

1.5KE250A

1.5KE300

1.5KE300A

1.5KE350

1.5KE350A

1.5KE400

1.5KE400A

1.5KE440

1.5KE440A

Breakdown Voltage

(BR)

(V)

(1)

Min

64.6

67.5

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

90.0

95.0

99.0

105

108

114

117

124

136

143

144

152

153

162

171

180

190

198

209

225

237

270

285

315

333

360

380

396

418

Max

71.4

82.5

78.8

90.2

86.1

100.0

95.5

110

105

121

116

132

126

143

137

165

158

176

168

187

179

198

189

220

210

242

231

275

263

330

315

385

368

440

420

484

462

= 25°C unless otherwise noted)

Test

Current

(mA)

1.0

Stand-off

Voltage

(V)

58.1

60.7

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

81.0

85.5

89.2

94.0

97.2

102

105

111

121

128

130

136

138

145

146

154

162

171

175

185

202

214

243

256

284

300

324

342

356

376

Maximum

Reverse

Leakage

at V

(4)

(µA)

1.0

Maximum

Peak Pulse

Current

PPM

(2)

(A)

16.3

13.9

14.6

12.7

13.3

11.5

12.0

10.4

10.9

9.5

9.9

8.7

9.1

8.0

8.4

7.0

7.2

6.5

6.8

6.1

6.4

5.8

6.1

5.2

5.5

4.4

4.6

4.2

4.4

3.5

3.6

3.0

3.1

2.6

2.7

2.4

2.5

Maximum

Clamping

Voltage

at I

PPM

(V)

92.0

109

104

118

113

131

125

144

137

158

152

173

165

187

179

215

207

230

219

244

234

258

246

287

274

344

328

360

344

430

414

504

482

574

548

631

602

Maximum

Temp.

Coefficient

of V

(BR)

(% /

°C)

0.104

0.105

0.106

0.107

0.108

0.106

0.108

0.110

Notes:

(1) V

(BR)

measured after I

applied for 300µs, I

=square wave pulse or equivalent

(2) Surge current waveform per Fig. 3 and derate per Fig. 2

(3) All terms and symbols are consistent with ANSI/IEEE CA62.35

(4) For bidirectional types with V

10 volts and less the I

limit is doubled

* Bidirectional versions are UL approved under component across the line protection, ULV1414 file number E108274 (1.5KE200CA, 1.5KE220CA)

+ UL listed for Telecom applications protection, 497B, file number E136766 for both uni-directional and bi-directional devices

Application

• This series of Silicon Transient Suppressors is used in applications where large voltage transients can permanently damage voltage-sensitive components.

• The TVS diode can be used in applications where induced lightning on rural or remote transmission lines presents a hazard to electronic circuitry

(ref: R.E.A. specification P.E. 60).

• This Transient Voltage Suppressor diode has a pulse power rating of 1500 watts for one millisecond. The response time of TVS diode clamping action is

effectively instantaneous (1 x 10

-9

seconds bidirectional); therefore, they can protect integrated circuits, MOS devices, hybrids, and other voltage sensitive

semiconductors and components. TVS diodes can also be used in series or parallel to increase the peak power ratings.

1.5KE6.8 thru 1.5KE440CA

and 1N6267 thru 1N6303A

Ratings and

Characteristic Curves

100

PPM

— Peak Pulse Power (kW)

Non-repetitive Pulse

Waveform shown in Fig. 3

= 25¡C

RANS

ORB

Transient Voltage Suppressors

= 25°C unless otherwise noted)

Peak Pulse Power (P

) or Current (I

)

Derating in Percentage, %

Fig. 1 – Peak Pulse Power Rating Curve

Fig. 2 – Pulse Derating Curve

100

1.0

0.1

0.1 s

1.0ms

10 s

100 s

1.0 s

td — Pulse Width (sec.)

10ms

25 50 75 100 125 150 175 200

— Ambient Temperature (¡C)

Fig. 3 – Pulse Waveform

150

PPM

— Peak Pulse Current, %

tr = 10µsec.

Peak Value

PPM

= 25¡C

Pulse Width (td) is defined

as the point where the

peak current decays to

50% of I

Fig. 4 - Typical Junction Capacitance

10,000

Unidirectional

Bidirectional

= 0

100

, Capacitance, pF

1,000

Half Value — I

PPM

10/1000µsec. Waveform

as defined by R.E.A.

100

= Rated

Stand-off Voltage

f = 1 MHz

Vsig = 50mVp-p

= 25¡C

1.0

2.0

t — Time (ms)

3.0

4.0

100

(BR)

, Breakdown Voltage (V)

500

Fig. 5 – Steady State Power

Derating Curve

8.0

M(AV)

, Steady State Power

Dissipation (W)

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

50 75 100 125 150 175 200

— Lead Temperature (¡C)

1.6 x 1.6 x .040"

(40 x 40 x 1mm)

Copper Heat Sinks

L = 0.375" (9.5mm)

Lead Lengths

Fig. 6 - Maximum Non-repetitive Peak Forward

Surge Current Unidirectional Only

200

Peak Forward Surge Current (A)

8.3ms Single Half Sine-Wave

(JEDEC Method) T

= T

max.

60 Hz

Resistive or

Inductive Load

100

Number of Cycles at 60 Hz

100

1.5KE6.8 thru 1.5KE440CA

and 1N6267 thru 1N6303A

Ratings and

Characteristic Curves

RANS

ORB

Transient Voltage Suppressors

= 25°C unless otherwise noted)

Fig. 7 – Incremental Clamping Voltage

Curve (Unidirectional)

100

∆VC,

Incremental Clamping Voltage

Waveform:

8 x 20 Impulse

∆V

= V

- V

(BR)

1.5KE200

100

∆VC,

Incremental Clamping Voltage

Fig. 8 – Incremental Clamping Voltage

Curve (Unidirectional)

Waveform:

10 x 100 Impulse

∆V

= V

- V

(BR)

1.5KE200

1.5KE130

1.5KE75

1.5KE130

1.5KE100

1.5KE39

1.5KE75

2.0

1.0

1.5KE39

1.5KE33

1.5KE6.8

1.5KE9.1

1.5KE18

1.5KE12

2.0

1.0

1.5KE33

1.5KE6.8

1.5KE9.1

0.2

0.1

0.5

2.0

, Peak Pulse Current (A)

0.2

0.1

0.5

2.0

, Peak Pulse Current (A)

Fig. 7 – Incremental Clamping Voltage

Curve (Bidirectional)

100

∆VC,

Incremental Clamping Voltage

Waveform:

8 x 20 Impulse

∆V

= V

- V

(BR)

1.5KE200C

100

∆VC,

Incremental Clamping Voltage

Fig. 10 – Incremental Clamping Voltage

Curve (Bidirectional)

Waveform:

10 x 100 Impulse

∆V

= V

- V

(BR)

1.5KE200C

1.5KE75C

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SPI0i为什么使能通不过？: 我用厂家的SPI范例测试，程序不能运行，经过逐行排查，发现程序运行到SPI0_enable时就停...; hujj GD32 MCU

汇总：annysky2012基于“STM32F746ZG+IHM07M1”的电机开发实战之旅: 更新日期：2022年1月7日 @annysky2012 【基于NUCLEO-F7...; nmg 电机驱动控制（Motor Control）

# 智能家居项目#主机芯片选择。: 我想选ARM，但不想用太高端，便宜些好。看了ARM公司的介绍，Cortex-Mx系列好像适合我们这...; laoguo DIY/开源硬件专区

如何解决VHDL中参数化赋值：赋全0、全1、全z: VHDL中可将参数定义在generic语句中，一般是将位宽定义在此，其他参数可定义在package中...; eeleader FPGA/CPLD

想做一个USB的图像采集卡: 我最近正在用cy7c68013+FPGA+TVP5150做一个图像采集卡，现在板子原理图刚画完，固件...; qu888 DIY/开源硬件专区

2024年11月PYPL 编程指数: 2024年11月PYPL 编程指数变化暂时还看不出太大。。。。。。。。。。。。。。。。。。...; dcexpert DIY/开源硬件专区

第十七届Automechanika Shanghai将延期至2022年12月1至4日举行

为积极配合当地政府疫情防控工作的要求，原定于今年11月下旬举办的第十七届 Automechanika Shanghai 将延期至2022年12月1至4日于国家会展中心（上海）举行。尽管今年展会未能如期而至，但展会在这过渡时期依然竭诚为与会各方提供多元化的服务，全力支持全球汽车生态圈的发展。法兰克福展览（香港）有限公司副总经理周劭阑女士对此表示：“在过去数周，我们一直积极与相关各方及地方部门...[详细]
从毛伟明调研看国网各板块2020年重点

一场突如其来的疫情，让刚刚上任国家电网公司董事长的毛伟明很快面临“大考”。一个月左右的疫情防控工作中，国家电网公司运转的有条不紊。国家电网公司作为后勤支援，有力地保障了一线的疫情防控的工作。随着疫情防控进入新的阶段，毛伟明也要开始为国家电网公司今年的发展与改革做准备了。享能汇注意到，近半个月左右的时间里，毛伟明陆续调研了国家电网公司多家子公司。在检查疫情防控工作的同时，毛伟明也对各业务板...[详细]
汽车电子系统使用自保护MOSFET需考虑的因素

采用自保护MOSFET可以设计出高性价比的容错系统，但损害或毁坏自保护MOSFET器件的工作情况确实存在。只有在系统设计时仔细考虑这些因素，才可以设计出高性价比而可靠的系统。汽车电子系统中使用的功率器件必须能抵受极为严峻环境的考验：它们必须能承受关闭瞬流和负载切断电源故障引起的高压毛刺；若环境工作温度超过120℃，器件结温则将随之而来升高；线束中的众多连接器位于方便组装和维修的位置，这可能造...[详细]
为OLED屏增加GUI支持4：文本框控件

环境：主机:WIN10 开发环境:MDK5.13 MCU:STM32F103 说明：本文定义了文本框控件。在gui中增加了字库支持后，就可以用文本框来显示字符。源代码： gui_widget_text.h /** * Copyright (c), 2015-2025 * @file gui_widget_text.h * @brief 文本控件头文件 ...[详细]
STM32之位绑定

位绑定的概念：对于51单片机只有8位，对于M3来说，有32位，也就是说把32位中的某一位通过一个简单的地址的变换的算法来实现对该位的操作，它能够映射到一个地址的空间，也就是说一个位它占一个地址，就好比如把惠州放在广东省的某一个地址，叫做惠州市，通过搭去惠州的车票就可以来到惠州市这个地址，别去东莞哈、但是这个位只有在地址的最低位有效，因为地址可能是指向一个32位的内存单元、、因为是LSB 有效、、所...[详细]
参考频率设计：晶体振荡器的运行和特点

晶体振荡器产生非常精准参考时钟的方式，现在，假设你们有一个收音机（或者两个，因为你想让它们交流），为了使用它，你们要买一个晶振。那你需要了解晶振的哪些特性？首先，你需要选择在合适的频率可以共振的晶振。你的收音机也许会支持多个参考频率，或者它只支持一个特定的值。通常PLL参考时钟是10-50MHz（当然也要注意32MHz晶振或者其它多种的晶振也会需要，去产生一个实时时钟，一会我们就...[详细]
DRAM恐长期供给吃紧传客户找美光签长约

DRAM技术往下制程微缩困难，在没有新产能加入下，DRAM产业恐面临长期供货吃紧，而市场也传出记忆体客户为确保未来供货顺畅，再度祭出签订长约策略，尤其是近两年成功收编尔必达(Elpida)、华亚科和瑞晶DRAM产能的美光(Micron)，成为客户积极敲门以长约绑住货源的热门对象，此举也象征过去从2008年起，连续5年低迷的记忆体产业，这次荣景要十倍讨回！ DRAM产业过去曾出现多次客户...[详细]
STM8学习笔记（一）内核和架构

简介 STM8S是基于8位框架结构的微控制器，其CPU内核有6个内部寄存器，通过这些寄存器可高效地进行数据处理。STM8S的指令集支持80条基本 20种寻址模式，而且CPU的6个内部寄存器都拥有可寻址的地址。如果想了解全部STM8S指令集，请参考STM8 微控制器家族编程手册 (PM0044)。 CPU寄存器在图1所示的编程模型中可以看到6个CPU寄存器。在一个中断发生后，寄存器以图...[详细]
绿的谐波2020年报及2021一季度报分析

不久前，绿的谐波发布 2020 年报，实现营收 2.17 亿元，同比+16.47%；归母净利润0.82亿元，同比+40.31%，扣非归母净利润0.47亿元，同比+17.56%，业绩如此前预期增长。（资料来源：绿的谐波2020年报）同时，近日绿的谐波发布 2021 年一季报，2021Q1 实现收入 7693 万元，同比增长 137.61%，归母净利润 3644 万元，同比增长 139...[详细]
华微电子：8英寸功率半导体晶圆生产线项目或下月通线

据证券时报报道，华微电子8英寸功率半导体晶圆生产线项目第一期预计在2020年6月通线。同时，公司将在IGBT领域进行重要布局，拓展白色家电、工业变频、UPS和新能源领域IGBT产品的份额。 2019年3月31日，华微电子发布公告称，通过配股募资10亿元建设新型电力电子器件基地项目，项目建成后，华微电子将具有加工8英寸芯片24万片/年的加工能力。据悉，华微电子主要生产功率半导体器件及IC...[详细]
华为P30、Mate20 X系列鸿蒙OS 2内测提前

6月2日晚，万众期待的华为HarmonyOS正式面向消费者发布，这是一款面向全场景的分布式操作系统，可用于物联网各种设备，除手机外，HarmonyOS也能适配手表、平板等智能终端设备。在发布会当晚，华为还公布了HarmonyOS 2升级“百”机焕新名单，包括华为Mate40系列、Mate X2、P40系列、Mate30系列和MatePad Pro等设备。其中，在百“机”焕新名单中，202...[详细]
苹果向开发者推出macOS Big Sur 11.0.1候选版本

苹果今天发布了一系列的系统更新，其中就包括了为开发人员推送的 macOS Big Sur 11.0.1 候选版本。上周，苹果刚刚发布了 macOS Big Sur 11.0.1 的第一个测试版本，以替代之前的 macOS Big Sur 11 Beta 10 更新。用户可以通过苹果开发者中心下载 macOS Big Sur Beta，一旦安装了适当的配置文件，便可以通过“系统偏好设置”中的...[详细]
苹果高级副总裁：Face ID短期内不支持多用户

新浪科技讯北京时间12月4日早间消息，苹果高级副总裁克雷格·费德里吉（Craig Federighi）日前在邮件中明确答复称，Face ID短期内不会支持多用户功能。　　在苹果今年9月发布iPhone X之前，外界一直都无法确定当时还处于传言阶段的人脸识别将对Touch ID指纹识别产生何种影响。如果你还记得，当时有很多报道称，苹果仍计划将Touch ID融合到iPhone X的显示...[详细]
USB 3.0测试宝典（上）

随着主流市场即将演进到SuperSpeed USB，许多设计团队正力图加快设计认证。本文将为您提供专家建议参考，帮助您轻松完成这一过程。尽管市场上已经出现了早期的USB 3.0产品，但主流市场转向Super Speed USB 还有待时日。部分原因在于，USB 2.0接口无所不在，且生产成本低廉。高带宽设备（如摄像机和存储设备）已经率先演进到SuperSpeed USB。但...[详细]
欧洲锂电巨头正在“自救”？

据媒体报道，欧洲锂电池 “全村的希望”之Northvolt，在当地时间10月15日宣布已向瑞典税务机关缴纳2.87亿瑞典克朗(约合1.95亿元人民币)的月度税款。瑞典税务机关上周称，Northvolt应于10月14日缴纳该税款。Northvolt在10月10日就此回应称，将按时完成支付。 Northvolt的一位新闻发言人在10月15日称：“正如我们此前所说的，公司已经缴纳了税款。”...[详细]