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1C6639

Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DIE-1

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:SENSITRON

厂商官网:http://www.sensitron.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
DIE
包装说明
DIE-1
针数
1
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
METALLURGICALLY BONDED
外壳连接
CATHODE
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
S-XUUC-N1
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
1
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
0.3 A
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
SQUARE
封装形式
UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大反向恢复时间
0.004 µs
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
文档预览
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 4081, REV. A
1N6638/U
1N6639/U
1N6640/U
1N6641/U
1N6642/U
1N6643/U
SIGNAL OR COMPUTER DIODE 1N6638 THRU 1N6643
Switching Diode
Hermetic, non-cavity glass package
Metallurgically bonded
Manufacture & screen to TX/TXV/JANS per MIL-PRF-19500/578,609 using Sensitron specification, 7700-409X
Physical dimensions: Axial lead similar to DO-35 and surface mount similar to (D-5D)
Maximum ratings T
A
=+25
o
C:
Types
V
BR
V
RWM
Io
1N6638,1N6638U
1N6639,1N6639U
1N6640,1N6640U
1N6641,1N6641U
1N6642,1N6642U
1N6643, 1N6643U
V(pk)
150
100
75
75
100
75
V(pk)
125
75
50
50
75
50
MA
300
300
300
300
300
300
I
FSM
Tp=1/120
s
A(pk)
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
T
STG
, T
J
o
R
θJL
L=.375
o
R
θJEC
L=0
o
Z
θJX
o
C
-65 to +175
-65 to +175
-65 to +175
-65 to +175
-65 to +175
-65 to +175
C/W
160
160
160
160
160
160
C/W
50
50
50
50
50
50
C/W
25
25
25
25
25
25
Axial
melf
1N6638 thru 1N6643
PACKAGE DIMENSIONS - INCHES ( MILLIMETERS)
STYLE
G
L
φB
φD
.018/.022 .056/.080 .130/.180 1.00/1.50
DO-35
0.46/0.56 1.42/2.03 3.30/4.57 25.4/38.10
1N6638U thru 1N6643U
PACKAGE DIMENSIONS - INCHES ( MILLIMETERS)
STYLE
BL
BD
S
ECT
.165/.195
.070/.085
0.003 Min
.019/.028
D-5D
4.19/4.95
1.78/2.16
0.48/0.71
221 WEST INDUSTRY COURT
DEER PARK, NY 11729-4681
PHONE (631) 586-7600
FAX (631) 242-9798
World Wide Web - http://www.sensitron.com
E-Mail - sales@sensitron.com
SENSITRON
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 4081, REV. A
1N6638/U
1N6639/U
1N6640/U
1N6641/U
1N6642/U
1N6643/U
SIGNAL OR COMPUTER DIODE (DIE) 1C6638 THRU 1C6643 AND 1C4148
Types
V
BR
V
RWM
Io
V(pk) V(pk) mA
1N6638, /578E
150 125 300
1N6642, /578E
100
75 300
1N6643, /578E
75
50 300
1N6639, /609C
100
75 300
1N6640, /609C
75
50 300
1N6641, /609C
75
50 300
1C4148, /116L
100
75 200
(1) I
F
= 10 mA
(2) I
F
= 200 mA
(3) I
F
= 100 mA
(4) I
F
= 500 mA
I
FSM
Tp=1/120s
A(pk)
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.0
T
STG
, T
J
C
-65 to +175
-65 to +175
-65 to +175
-65 to +175
-65 to +175
-65 to +175
-65 to +200
o
V
F1
V dc
0.80 (1)
0.80 (1)
0.80 (1)
1.20 (4)
1.00 (2)
1.10 (2)
0.80 (1)
V
F2
V dc
1.1 (2)
1.2 (3)
1.2 (3)
-
-
-
1.2 (3)
I
R1
@
I
R1
@
V
R
=20V V
R
= V
RWM
nA dc
µA
dc
35
0.5
25
0.5
50
0.5
-
0.1
-
0.1
-
0.1
25
0.5
t
rr
I
RM
=I
F
=10mA
ns
4.5
5.0
6.0
4.0
4.0
5.0
5.0
C
T1
V
R
=0V
PF
2.5
5.0
5.0
2.5
2.5
3.0
-
1C6638 thru 1C6643
and
1C4148 Layout
D
ANODE
0.020”
±
0.002”
ANODE
0.007”
±
0.0005”
CATHODE
221 WEST INDUSTRY COURT
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1N6638/U
1N6639/U
1N6640/U
1N6641/U
1N6642/U
1N6643/U
SENSITRON
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 4081, REV. A
Table: Metal pad sizes:
1C6638 thru 1C6643
D
0.011”
±
0.001”
1C4148
0.009”
±
0.001”
Top (anode) metallization:
Al, 25 kA minimum or
Ti/Ni/Ag, 30 kA minimum or
Ti/Ni/Au, 13 kA minimum or
Au, 10 kA minimum
Ti/Ni/Ag, 30 kA minimum or
Ti/Ni/Au, 12 kA minimum or
Au, 4 kA minimum
Bottom (cathode) metallization:
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DEER PARK, NY 11729-4681
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FAX (631) 242-9798
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