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1N1187

Rectifiers 300V 35A Std. Recovery

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：GeneSiC

厂商官网：http://www.genesicsemi.com/

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供应商：

器件：1N1187

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
包装说明
O-MUPM-D1
Reach Compliance Code
compliant
应用
GENERAL PURPOSE
外壳连接
CATHODE
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.2 V
JEDEC-95代码
DO-5
JESD-30 代码
O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流
595 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
1
最高工作温度
190 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
35 A
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压
300 V
最大反向电流
10 µA
表面贴装
NO
端子形式
SOLDER LUG
端子位置
UPPER
Base Number Matches
1
文档预览
1N1183 thru 1N1187R
Silicon Standard
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 50 to 300 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
DO-5 Package
V
RRM
= 50 V - 300 V
I
F
= 35 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Repetitive p
p
peak reverse voltage
g
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
≤ 140 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
1N1183 (R) 1N1184 (R) 1N1186 (R) 1N1187 (R)
50
35
50
35
595
-55 to 150
-55 to 150
100
70
100
35
595
-55 to 150
-55 to 150
200
140
200
35
595
-55 to 150
-55 to 150
300
210
300
35
595
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 35 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 140 °C
1N1183 (R) 1N1184 (R) 1N1186 (R) 1N1187 (R)
1.2
10
10
0.25
1.2
10
10
0.25
1.2
10
10
0.25
1.2
10
10
0.25
Unit
V
μA
mA
°C/W
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction -
case
R
thJC
Feb 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
1
1N1183 thru 1N1187R
Feb 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
2
1N1183 thru 1N1187R
Package dimensions and terminal configuration
Product is marked with part number and terminal configuration.
M
DO- 5 (DO-203AB)
J
K
P
D
B
N
C
G
F
A
E
Inches
Min
A
B
C
D
E
F
G
J
K
M
N
P
0.669
-----
-----
0.422
0.115
-----
-----
0.236
-----
-----
0.140
0.687
0.794
1.020
0.453
0.200
0.460
0.280
-----
0.589
0.063
0.175
Max
1/4 –28 UNF
17.19
-----
-----
10.72
2.93
-----
-----
6.00
-----
-----
3.56
Min
Millimeters
Max
17.44
20.16
25.91
11.50
5.08
11.68
7.00
-----
14.96
1.60
4.45
Feb 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
3
Mouser Electronics
Authorized Distributor
Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information:
GeneSiC Semiconductor
:
1N1183 1N1183A 1N1183AR 1N1183R 1N1184 1N1184A 1N1184AR 1N1184R 1N1186 1N1186A 1N1186AR
1N1186R 1N1187 1N1187R
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参数对比
与1N1187相近的元器件有：1N1187R、1N1183R、1N1183、1N1183AR。描述及对比如下：
型号 1N1187 1N1187R 1N1183R 1N1183 1N1183AR
描述 Rectifiers 300V 35A Std. Recovery Rectifiers 300V 35A REV Leads Std. Recovery Rectifiers 50V 35A REV Leads Std. Recovery Rectifiers 50V 35A Std. Recovery Rectifiers 50V 40A REV Leads Std. Recovery
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
包装说明 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE ANODE ANODE CATHODE ANODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.1 V
JEDEC-95代码 DO-5 DO-5 DO-5 DO-5 DO-5
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 595 A 595 A 595 A 595 A 800 A
元件数量 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1
端子数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 190 °C 190 °C 190 °C 190 °C 200 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 35 A 35 A 35 A 35 A 40 A
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 300 V 300 V 50 V 50 V 50 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
Base Number Matches 1 1 1 - 1
厂商名称 - GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC
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