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1N459A

0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
0.2 A, 200 V, 硅, 信号二极管, DO-35

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:National Semiconductor(TI )

厂商官网:http://www.ti.com

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1N459A 在线购买

供应商:

器件:1N459A

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
2
元件数量
1
状态
ACTIVE
包装形状
包装尺寸
LONG FORM
端子形式
线
端子涂层
锡 铅
端子位置
AXIAL
包装材料
UNSPECIFIED
结构
单一的
壳体连接
隔离
二极管元件材料
最大功耗极限
0.5000 W
二极管类型
信号二极管
最大重复峰值反向电压
200 V
最大平均正向电流
0.2000 A
文档预览
1N/FDLL 456/A / 457/A / 458/A / 459/A
Discrete POWER & Signal
Technologies
N
1N/FDLL 456/A - 1N/FDLL 459/A
COLOR BAND MARKING
DEVICE
FDLL456
FDLL456A
FDLL457
FDLL457A
FDLL458
FDLL458A
FDLL459
FDLL459A
1ST BAND 2ND BAND
BROWN
BROWN
RED
RED
RED
RED
RED
RED
WHITE
WHITE
BLACK
BLACK
BROWN
BROWN
RED
RED
LL-34
DO-35
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP
HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION
OF THE CATHODE TERMINAL
High Conductance Low Leakage Diode
Sourced from Process 1M.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
W
IV
Working Inverse Voltage
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
456/A
457/A
458/A
459/A
Value
25
60
125
175
200
500
600
1.0
4.0
-65 to +200
175
Units
V
V
V
V
mA
mA
mA
A
A
°C
°C
I
O
I
F
i
f
i
f(surge)
Average Rectified Current
DC Forward Current
Recurrent Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1.0 second
Pulse width = 1.0 microsecond
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
T
stg
T
J
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θ
JA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
1N / FDLL 456/A - 459/A
500
3.33
300
Units
mW
mW/°C
°C/W
1N/FDLL 456/A / 457/A / 458/A / 459/A
High Conductance Low Leakage Diode
(continued)
Electrical Characteristics
Symbol
B
V
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Breakdown Voltage
456/A
457/A
458/A
459/A
456/A
457/A
458/A
459/A
Test Conditions
I
R
= 100
µ
A
I
R
= 100
µA
I
R
= 100
µA
I
R
= 100
µA
V
R
= 25 V
V
R
= 25 V, T
A
= 150°C
V
R
= 60 V
V
R
= 60 V, T
A
= 150°C
V
R
= 125 V
V
R
= 125 V, T
A
= 150°C
V
R
= 175 V
V
R
= 175 V, T
A
= 150°C
I
F
= 40 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 7.0 mA
I
F
= 3.0 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 0, f = 1.0 MHz
Min
30
70
150
200
Max
Units
V
V
V
V
nA
µA
nA
µA
nA
µA
nA
µA
V
V
V
V
V
pF
I
R
Reverse Current
V
F
Forward Voltage
456
457
458
459
456/A-459/A
C
O
Diode Capacitance
25
5.0
25
5.0
25
5.0
25
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
6.0
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