首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

1N5466BCHIP

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 18pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Msi Electronics Inc

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Msi Electronics Inc
包装说明
X-XUUC-N
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH Q
最小击穿电压
30 V
配置
SINGLE
二极管电容容差
5%
最小二极管电容比
2.9
标称二极管电容
18 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带
VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码
X-XUUC-N
元件数量
1
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
UNSPECIFIED
封装形式
UNCASED CHIP
认证状态
Not Qualified
最小质量因数
500
最大重复峰值反向电压
30 V
最大反向电流
2e-8 µA
反向测试电压
25 V
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
变容二极管分类
ABRUPT
文档预览
查看更多>
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消