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1N5526B

Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Central Semiconductor

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器件:1N5526B

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
ULTRA LOW NOISE
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
最大动态阻抗
30 Ω
JEDEC-95代码
DO-35
JESD-30 代码
O-XALF-W2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.4 W
认证状态
Not Qualified
标称参考电压
6.8 V
表面贴装
NO
技术
ZENER
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
5%
工作测试电流
1 mA
Base Number Matches
1
文档预览
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