首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

1N5701B

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 18pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:API Technologies

厂商官网:http://www.apitech.com/about-api

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
API Technologies
包装说明
O-LALF-W2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
其他特性
SUPER Q
最小击穿电压
65 V
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管电容容差
5%
最小二极管电容比
2.8
标称二极管电容
18 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带
VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码
DO-7
JESD-30 代码
O-LALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
最大功率耗散
0.4 W
认证状态
Not Qualified
最小质量因数
375
最大重复峰值反向电压
60 V
最大反向电流
2e-8 µA
反向测试电压
60 V
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
变容二极管分类
ABRUPT
Base Number Matches
1
文档预览
查看更多>
调试 DAbt_Handler问题解决办法
RM:如何分析DAbt异常 本文信息面向: 任意版本ARM ...
灞波儿奔 微控制器 MCU
关于STM8汇编的头文件问题请教
我现在准备将STtool/asm/include中的“STM8S207R.asm”改装成我需要的...
nmylx stm32/stm8
从摄像头开始——高级驾驶辅助系统解决方案系列介绍
近年来,随着人们对驾驶安全水平需求的不断提高,高级驾驶辅助系统(ADAS)相关技术的不断成熟,伴...
zqy1111 TI技术论坛
求助AD775资料,电路图和程序
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:34 编辑 求助AD775资料,电路...
citymoon 电子竞赛
IGBT的驱动和过流保护电路的研究
1 引言   绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramist...
TLP781 电源技术
集成电路ESD防护设计理论、方法与实践 [韩雁,董树荣著][科学出版社][2014.08][215页]
集成电路ESD防护设计理论、方法与实践 , 好的经典参考书 集成电路ESD防护设计理论...
cmmjava 综合技术交流
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
需要登录后才可以下载。
登录取消