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1N5952BBKTIN/LEAD

Zener Diode, 130V V(Z), 5%, 1.5W,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Central Semiconductor

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
二极管类型
ZENER DIODE
最大动态阻抗
450 Ω
元件数量
1
最高工作温度
200 °C
最大功率耗散
1.5 W
标称参考电压
130 V
表面贴装
NO
最大电压容差
5%
工作测试电流
2.9 mA
Base Number Matches
1
文档预览
1N5913B THRU 1N5956B
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SILICON ZENER DIODE
1.5 WATT, 3.3 THRU 200 VOLTS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5913B series
silicon Zener diode is a high quality voltage regulator
designed for use in automotive, industrial, commercial,
entertainment and computer applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
ral
Cent
DO-41 CASE
MAXIMUM RATINGS:
Power Dissipation (TL=75°C)
Operating and Storage Temperature
VZ Tolerance: Part number with “B” suffix
VZ Tolerance: Part number with “C” suffix
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
UNITS
W
°C
%
%
%
1.5
-65 to +200
±5
±2
VZ Tolerance: Part number with “D” suffix
±1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TL=30°C) VF=1.5V MAX @ IF=200mA (for all types)
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
MIN
V
1N5913B
1N5914B
1N5915B
1N5916B
1N5917B
1N5918B
1N5919B
1N5920B
1N5921B
1N5922B
1N5923B
1N5924B
1N5925B
1N5926B
1N5927B
1N5928B
1N5929B
1N5930B
1N5931B
1N5932B
1N5933B
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.130
7.790
8.650
9.500
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
NOM
V
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
MAX
V
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.880
8.610
9.560
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
TEST
CURRENT
IZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
MAXIMUM
ZENER IMPEDANCE
ZZT @ IZT
Ω
10
9.0
7.5
6.0
5.0
4.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
4.0
5.0
6.0
7.0
7.0
9.0
10
12
14
18
ZZK @ IZK
Ω
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
μA
100
75
25
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR @ VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.2
6.0
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
TYPE
MAXIMUM
DC
CURRENT
IZM
mA
454
416
384
348
319
294
267
241
220
200
182
164
150
136
125
115
100
93
83
75
68
R3 (8-March 2012)
1N5913B THRU 1N5956B
SILICON ZENER DIODE
1.5 WATT, 3.3 THRU 200 VOLTS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued:
(TL=30°C) VF=1.5V MAX @ IF=200mA (for all types)
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
MIN
V
1N5934B
1N5935B
1N5936B
1N5937B
1N5938B
1N5939B
1N5940B
1N5941B
1N5942B
1N5943B
1N5944B
1N5945B
1N5946B
1N5947B
1N5948B
1N5949B
1N5950B
1N5951B
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
71.25
77.90
86.45
95.00
104.5
114.0
123.5
142.5
152.0
171.0
190.0
NOM
V
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
MAX
V
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
78.75
86.10
95.55
105.0
115.5
126.0
136.5
157.5
168.0
189.0
210.0
TEST
CURRENT
IZT
mA
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
MAXIMUM
ZENER IMPEDANCE
ZZT @ IZT
Ω
19
23
26
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
450
600
700
900
1200
ZZK @ IZK
Ω
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
μA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR @ VR
V
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.2
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
MAXIMUM
DC
CURRENT
IZM
mA
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
15
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
TYPE
DO-41 CASE - MECHANICAL OUTLINE
R3 (8-March 2012)
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