1N81

Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, 40V V(RRM), Germanium,

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：ON Semiconductor(安森美)

厂商官网：http://www.onsemi.cn

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参数

器件参数

参数名称

属性值

包装说明

O-LALF-W2

Reach Compliance Code

unknown

外壳连接

ISOLATED

配置

SINGLE

二极管元件材料

GERMANIUM

二极管类型

RECTIFIER DIODE

最大正向电压 (VF)

1 V

JESD-30 代码

O-LALF-W2

元件数量

端子数量

最高工作温度

75 °C

最大输出电流

0.04 A

封装主体材料

GLASS

封装形状

ROUND

封装形式

LONG FORM

认证状态

Not Qualified

最大重复峰值反向电压

40 V

最大反向电流

10 µA

表面贴装

端子形式

WIRE

端子位置

AXIAL

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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