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1Z6.8TPA2

DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Toshiba(东芝)

厂商官网：http://toshiba-semicon-storage.com/

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Toshiba(东芝)
包装说明
O-PALF-W2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
最大击穿电压
7.4 V
最小击穿电压
6.2 V
击穿电压标称值
6.8 V
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散
200 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1 W
认证状态
Not Qualified
最大反向电流
10 µA
表面贴装
NO
技术
AVALANCHE
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
Base Number Matches
1
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