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2102HDLQC

Standard SRAM, 1KX1, 250ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1435848464
包装说明
DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
YTEOL
0
最长访问时间
250 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-CDIP-T16
JESD-609代码
e0
内存密度
1024 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
1
湿度敏感等级
2A
功能数量
1
端子数量
16
字数
1024 words
字数代码
1000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP16,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883 Class C
最大供电电压 (Vsup)
5.25 V
最小供电电压 (Vsup)
4.75 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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