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21L022DCQB

Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1435849391
包装说明
DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
YTEOL
0
最长访问时间
650 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-CDIP-T16
JESD-609代码
e0
内存密度
1024 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
1
湿度敏感等级
2A
功能数量
1
端子数量
16
字数
1024 words
字数代码
1000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP16,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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