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28C04F-25M/D

EEPROM, 512X8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP24

器件类别：存储    存储   

厂商名称：Vishay(威世)

厂商官网：http://www.vishay.com

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
101109978
包装说明
DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
250 ns
命令用户界面
NO
数据轮询
YES
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-XDIP-T24
JESD-609代码
e0
内存密度
4096 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
端子数量
24
字数
512 words
字数代码
512
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
512X8
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP24,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
切换位
NO
最长写入周期时间 (tWC)
0.2 ms
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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