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28C16F-20I/P

EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP24

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Vishay(威世)

厂商官网:http://www.vishay.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
101099690
包装说明
DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
200 ns
命令用户界面
NO
数据轮询
YES
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDIP-T24
JESD-609代码
e0
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
端子数量
24
字数
2048 words
字数代码
2000
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
2KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP24,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
切换位
NO
最长写入周期时间 (tWC)
0.2 ms
文档预览
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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