2BZX84 C3V0A ... 2BZX84 C47A
Dual Surface Mount
Silicon Planar Zener Diodes
Common Anode
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
Silizium-Planar-Zener Doppel-Dioden
für die Oberflächenmontage
Gemeinsame Anode
300 mW
1.1
2.5
max
±0.1
)
V
Z
for both diodes in one case
)
V
Z
beider Dioden in einem Gehäuse
1.3
#
5%
3.0...47 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
1
2
Dimensions / Maße in mm
1 = Cathode 1
2 = Cathode 2
3 = Common / Gemeinsame Anode
Standard packaging taped and reeled
see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings
Power dissipation
Verlustleistung
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
T
A
= 25
/
C
Grenz- und Kennwerte
P
tot
T
j
T
S
R
thA
300 mW
1
)
– 50...+150
/
C
– 50...+150
/
C
< 420 K/W
1
)
Characteristics
Forward voltage
Durchlaßspannung
T
j
= 25
/
C
I
F
= 10 mA
V
F
Kennwerte
< 0.9 V
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
18.02.2003
1
2BZX84 C3V0A ... 2BZX84 C47A
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Temp. Coeffiz. Reverse current Z-current
2
)
Marking Zener voltage
1
)
Dynamic resistance
of Z-voltage
Sperrstrom
Stempel Zener-Spanng.
1
) Inhär. diff. Widerstand
Z-Strom
2
)
…der Z-spanng.
r
zj
[
S
] at f = 1 kHz
I
Z
= 5 mA
T
A
= 25
/
C
-4
V
zmin
[V] V
zmax
I
Z
= 5 mA
I
Z
= 1 mA
"
VZ
[10 /
/
C] I
R
[nA] V
R
[V] I
Zmax
[mA]
2BZX84 ...
... C3V0A
... C3V3A
... C3V6A
... C3V9A
... C4V3A
... C4V7A
... C5V1A
... C5V6A
... C6V2A
... C6V8A
... C7V5A
... C8V2A
... C9V1A
... C10A
... C11A
... C12A
... C13A
... C15A
... C16A
... C18A
... C20A
... C22A
... C24A
... C27A
... C30A
... C33A
... C36A
... C39A
... C43A
... C47A
WW5
WW6
WW7
WW8
WW9
ZZ1
ZZ2
ZZ3
ZZ4
ZZ5
ZZ6
ZZ7
ZZ8
ZZ9
YY1
YY2
YY3
YY4
YY5
YY6
YY7
YY8
YY9
W10
W11
W12
W13
W14
W15
W16
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
< 100
< 95
< 95
< 90
< 90
< 80
< 60
< 40
< 10
< 10
< 10
< 10
< 15
< 20
< 20
< 25
< 30
< 30
< 40
< 50
< 50
< 55
< 80
< 80
< 80
< 80
< 90
< 90
< 100
<100
< 600
< 600
< 600
< 600
< 600
< 500
< 480
< 400
< 150
< 80
< 80
< 80
< 100
< 150
< 150
< 150
< 170
< 200
< 200
< 225
< 225
< 250
< 250
I
Z
= 0.5 mA
< 300
< 300
< 325
< 350
< 350
< 375
< 375
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
50
50
50
50
50
50
50
19
21
23
25
27
30
33
12
11
10
9
9
8
7
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-8…-5
-6…-3
-5…+2
-2…+2
-5…+5
+3…+6
+3…+7
+3…+7
+3…+8
+3…+9
+3…+10
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+4…+12
+4…+12
4000
2000
2000
2000
1000
3000
2000
1000
3000
2000
1000
700
500
200
100
100
100
50
50
50
50
50
50
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10
11
13
14
15
17
109
100
92
85
76
70
65
58
53
49
44
40
36
33
30
28
25
22
20
18
17
15
14
I
Z
= 2 mA
1
2
) Tested with pulses t
p
= 5 ms – Gemessen mit Impulsen t
p
= 5 ms
) Per diode - mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Pro Diode - bei Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
嵌入式系统
