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2N5051

2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2 A, 150 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-66

器件类别：半导体    分立半导体   

厂商名称：SAVANTIC

厂商官网：http://www.svntc.com/

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2N5051 在线购买

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器件：2N5051

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器件参数
参数名称
属性值
最大集电极电流
2 A
最大集电极发射极电压
150 V
端子数量
2
状态
Active
壳体连接
COLLECTOR
结构
SINGLE
最小直流放大倍数
25
jedec_95_code
TO-66
jesd_30_code
O-MBFM-P2
元件数量
1
最大工作温度
175 Cel
包装材料
METAL
包装形状
ROUND
包装尺寸
FLANGE MOUNT
larity_channel_type
NPN
wer_dissipation_max__abs_
40 W
qualification_status
COMMERCIAL
sub_category
Other Transistors
表面贴装
NO
端子涂层
NOT SPECIFIED
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
晶体管元件材料
SILICON
额定交叉频率
10 MHz
vcesat_max
1 V
文档预览
SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION
·With TO-66 package
·High breakdown voltage
·Excellent safe operating area
APPLICATIONS
·Designed for driver circuits,switching
and amplifier applications
PINNING
PIN
1
2
3
Base
Emitter
Collector
DESCRIPTION
2N5050 2N5051 2N5052
Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol
Absolute maximum ratings(Ta=
)
SYMBOL
PARAMETER
2N5050
V
CBO
Collector-base voltage
2N5051
2N5052
2N5050
V
CEO
Collector-emitter voltage
2N5051
2N5052
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
stg
Emitter-base voltage
Collector current
Total Power Dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
C
=25
Open collector
Open base
Open emitter
CONDITIONS
VALUE
125
150
200
125
150
200
7
2
40
150
-65~200
V
A
W
V
V
UNIT
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal resistance junction to case
VALUE
7.0
UNIT
/W
SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25
unless otherwise specified
PARAMETER
2N5050
V
CEO(SUS)
Collector-emitter
sustaining voltage
2N5051
2N5052
V
CEsat
V
BEsat
V
BE
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter on voltage
2N4910
I
CEO
Collector cut-off current
2N4911
2N4912
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Transition frequency
I
C
=2A; I
B
=0.5A
I
C
=2A; I
B
=0.5A
I
C
=750mA ; V
CE
=5V
V
CE
=125V; I
B
=0
V
CE
=150V; I
B
=0
V
CE
=200V; I
B
=0
I
C
=0.1A ;I
B
=0
2N5050 2N5051 2N5052
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
125
150
200
TYP.
MAX
UNIT
V
1.2
1.5
1.2
V
V
V
5.0
mA
V
CB
=Rated V
CBO
; I
E
=0
V
EB
=7V; I
C
=0
I
C
=750mA ; V
CE
=5V
I
C
=500mA;V
CE
=10V;f=1MHz
25
10
0.1
1.0
100
mA
mA
MHz
2
SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
PACKAGE OUTLINE
2N5050 2N5051 2N5052
Fig.2 outline dimensions
3
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参数对比
与2N5051相近的元器件有：2N5050、2N5052、2N5469、2N5468。描述及对比如下：
型号 2N5051 2N5050 2N5052 2N5469 2N5468
描述 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
最大集电极电流 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A
最大集电极发射极电压 150 V 150 V 150 V 150 V 150 V
端子数量 2 2 2 2 2
状态 Active Active Active Active Active
壳体连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
结构 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流放大倍数 25 25 25 25 25
jedec_95_code TO-66 TO-66 TO-66 TO-66 TO-66
jesd_30_code O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1 1
最大工作温度 175 Cel 175 Cel 175 Cel 175 Cel 175 Cel
包装材料 METAL METAL METAL METAL METAL
包装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
larity_channel_type NPN NPN NPN NPN NPN
wer_dissipation_max__abs_ 40 W 40 W 40 W 40 W 40 W
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
sub_category Other Transistors Other Transistors Other Transistors Other Transistors Other Transistors
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子涂层 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
额定交叉频率 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
vcesat_max 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
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