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2N5067

5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
5 A, 40 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-3

器件类别：半导体    分立半导体   

厂商名称：Jinmei

厂商官网：http://www.jmnic.com/

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2N5067 在线购买

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器件：2N5067

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
2
晶体管极性
NPN
最大集电极电流
5 A
最大集电极发射极电压
40 V
加工封装描述
TO-3, 2 PIN
状态
ACTIVE
包装形状
ROUND
包装尺寸
FLANGE MOUNT
端子形式
PIN/PEG
端子涂层
TIN LEAD
端子位置
BOTTOM
包装材料
METAL
结构
SINGLE
壳体连接
COLLECTOR
元件数量
1
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大环境功耗
87.5 W
晶体管类型
GENERAL PURPOSE POWER
最小直流放大倍数
7
额定交叉频率
4 MHz
文档预览
Product Specification
www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors
2N5067 2N5068 2N5069
DESCRIPTION
・With
TO-3 package
・Complement
to type 2N4901,2N4902,2N4903
・Low
collector-emitter saturation voltage
APPLICATIONS
・For
general–purpose switching
and power amplifier applications.
PINNING
PIN
1
2
3
Base
Emitter
Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=
℃)
SYMBOL
PARAMETER
2N5067
V
CBO
Collector-base voltage
2N5068
2N5069
2N5067
V
CEO
Collector-emitter voltage
2N5068
2N5069
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
stg
Emitter-base voltage
Collector current
Collector current-peak
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
C
=25℃
Open collector
Open base
Open emitter
CONDITIONS
VALUE
40
60
80
40
60
80
5
5
10
1
87.5
150
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
UNIT
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal resistance junction to case
VALUE
2.0
UNIT
℃/W
JMnic
Product Specification
www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
2N5067
V
CEO
Collector-emitter
sustaining voltage
2N5068
2N5069
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
I
CEO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
Collector-emitter saturation voltage
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter on voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
DC current gain
Transition frequency
I
C
=1A; I
B
=0.1A
I
C
=5A ;I
B
=1A
I
C
=1A ; V
CE
=2V
V
CE
=Rated V
CEO
; I
B
=0
V
CB
=Rated V
CBO
; I
E
=0
I
C
=0.2A ;I
B
=0
2N5067 2N5068 2N5069
CONDITIONS
MIN
40
60
80
TYP.
MAX
UNIT
V
0.4
1.5
1.2
1.0
0.1
1.0
2.0
1.0
20
7
4
80
V
V
V
mA
mA
mA
mA
V
CE
= Rated V
CEO
; V
BE(off)
=1.5V
T
C
=150℃
V
EB
=5V; I
C
=0
I
C
=1A ; V
CE
=2V
I
C
=5A ; V
CE
=2V
I
C
=1A ; V
CE
=10V
MHz
JMnic
Product Specification
www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors
PACKAGE OUTLINE
2N5067 2N5068 2N5069
Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm)
JMnic
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参数对比
与2N5067相近的元器件有：2N5068、2N5069、2N5067_15。描述及对比如下：
型号 2N5067 2N5068 2N5069 2N5067_15
描述 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
端子数量 2 2 2 2
最大集电极电流 5 A 5 A 5 A 5 A
最大集电极发射极电压 40 V 40 V 80 V 40 V
加工封装描述 TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN
状态 ACTIVE ACTIVE Active ACTIVE
包装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子涂层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
包装材料 METAL METAL METAL METAL
结构 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
壳体连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
元件数量 1 1 1 1
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最小直流放大倍数 7 7 7 7
额定交叉频率 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz
晶体管极性 NPN NPN - NPN
最大环境功耗 87.5 W 87.5 W - 87.5 W
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER - GENERAL PURPOSE POWER
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