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2N6403

Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 400V V(DRM)

器件类别：模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称：General Electric Solid State

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器件：2N6403

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknow
最大直流栅极触发电流
60 mA
最大直流栅极触发电压
2.5 V
最大维持电流
60 mA
最大漏电流
2 mA
通态非重复峰值电流
160 A
最大通态电压
1.7 V
最大通态电流
5000 A
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
断态重复峰值电压
400 V
表面贴装
NO
触发设备类型
SCR
Base Number Matches
1
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参数对比
与2N6403相近的元器件有：2N6401、2N6404、2N6400、2N6402。描述及对比如下：
型号 2N6403 2N6401 2N6404 2N6400 2N6402
描述 Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 400V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier Silicon Controlled Rectifier
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknown unknown
厂商名称 - General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State
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