桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA812(销售型號 2SA812)
■
FEATURES
特點
PNP General Purpose Transistor
■
MAXIMUM
RATINGS
最大額定值
Symbol
符號
V
CEO
V
CBO
V
EBO
Ic
Rating
額定值
-50
-60
-5.0
-100
Unit
單½
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Characteristic
特性參數
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
Collector Current—Continuous
集電極電流-連續
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Symbol
符號
P
D
Max
最大值
225
1.8
P
D
300
2.4
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
417
Unit
單½
mW
mW/℃
mW
mW/℃
℃/W
-55to+150℃
Characteristic
特性參數
Total Device Dissipation
½耗散功率
FR-5 Board(1)
T
A
=
25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃
超過
25℃遞減
Total Device Dissipation
½耗散功率
Alumina Substrate
氧化鋁襯底,(2)T
A
=
25℃
Derate above25℃
超過
25℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA812(销售型號 2SA812)
■
DEVICE
MARKING
打標
GMA812(
销售型號
2SA812)=M4-M7
H
FE
:90-180=M4 135-270=M5 200-400=M6 300-600=M7
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
Symbol
符號
Min
最小值
Type
典型值
Max
最大值
Unit
單½
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度爲
25℃)
Characteristic
特性參數
■
OFF CHARACTERISTICS
截止電特性
I
EBO
—
—
-0.1
μ
A
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流(V
EB
=-5.0v,I
C
=0)
Collector Cutoff Current
集電極截止電流(V
CB
=-60v,I
E
=0)
Collector to Emitter Saturation Voltage
集電極½和壓降(Ic=-100mAdc,I
B
=-10mA)
Base to Emitter Saturation Voltage
基極½和壓降(Ic=-100mAdc,I
B
=-10mA)
Base to Emitter Voltage
基極-發射極電壓(V
CE
=-6.0v,I
C
=-1.0mA)
DC Current Gain
直流電流增益
(V
CE
=-6.0v,I
C
=-1.0mA)
Gain Bandwidth Product
增益帶寬乘積(V
CE
=-6.0v,I
C
=-1.0mA)
Output Capacitance
輸出電容(V
CB
=-10v,I
E
=0,f=1.0MHz)
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
I
CBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
H
FE
f
T
—
—
-0.1
μ
A
—
—
-0.58
90
—
-0.18
—
-0.62
—
180
-0.3
-1.0
-0.68
600
—
Vdc
Vdc
Vdc
MHz
C
ob
—
4.5
—
pF
创意市集
