302S43W561MV6T,302S43W561MV6T pdf中文资料,302S43W561MV6T引脚图,302S43W561MV6T电路-Datasheet-电子工程世界

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IGH

OLTAGE

URFACE

OUNT

MLCC

250 - 6,000 VDC

These high voltage capacitors feature a special internal

electrode design which reduces voltage concentrations by

distributing voltage gradients throughout the entire capacitor.

This unique design also affords increased capacitance values

in a given case size and voltage rating. The capacitors are

designed and manufactured to the general requirement of

EIA198 and are subjected to a 100% electrical testing making

them well suited for a wide variety of telecommunication,

commercial, and industrial applications.

PPLICATIONS

• Analog & Digital Modems

• Lighting Ballast Circuits

• DC-DC Converters

• LAN/WAN Interface

• Voltage Multipliers

• Back-lighting Inverters

NOW AVAILABLE

with Polyterm

soft termination option for

demanding environments & processes. Visit our website for full details.

ASE

IZE

JDI /EIA

Inches

E/B

.080 ±.010

.050 ±.010

.055 Max.

.020 ±.010

.125 ±.010

.062 ±.010

.067 Max.

.020 ±.010

(mm)

(2.03 ±.25)

(1.27 ±.25)

(1.40)

(0.51±.25)

(3.17 ±.25)

(1.57 ±.25)

(1.70)

(0.51±.25)

Rated

Voltage

250

500

630

1000

250

500

630

1000

2000

3000

250

500

630

1000

2000

3000

500

630

1000

2000

3000

4000

5000

6000

VDC

APACITANCE

ELECTION

NPO Dielectric

Minimum

Maximum

1.0

680

560

390

1500

1200

1000

220

3900

2700

1800

560

220

4700

3300

2200

820

470

180

X7R Dielectric

Minimum

Maximum

1000

100

1000

100

1000

100

1000

100

0.022

0.010

6800

4700

0.068

0.047

0.027

0.018

4700

1000

0.220

0.100

0.056

0.047

3900

2700

0.100

0.068

0.047

8200

3900

2200

1000

100

µF

R15/0805

R18/1206

S41/1210

E/B

.125 ±.010

.095 ±.010

.080 Max.

.020 ±.010

(3.18 ±.25)

(2.41 ±.25)

(2.03)

(0.51±.25)

R29/1808

E/B

.189 ±.010

.080 ±.010

.085 Max.

.020 ±.010

(4.80 ±.25)

(2.03 ±.25)

(2.16)

(0.51±.25)

Available cap. values include these significant retma values and their multiples: 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2

( 1.0 = 1.0, 10, 100, 1000, etc.) Consult factory for non-retma values and sizes or voltages not shown.

www.johanson dielectrics.com

IGH

OLTAGE

URFACE

OUNT

MLCC

250 - 6,000 VDC

ASE

IZE

JDI /EIA

Inches

(mm)

Rated

Voltage

250

500

630

1000

2000

3000

4000

5000

6000

500

630

1000

2000

3000

4000

5000

6000

500

630

1000

2000

3000

4000

5000

6000

500

630

1000

2000

3000

4000

5000

6000

VDC

APACITANCE

ELECTION

NPO Dielectric

Minimum

Maximum

100 pF

10 pF

100 pF

10 pF

1000 pF

100 pF

10 pF

1000 pF

100 pF

10 pF

8200 pF

6800 pF

5600 pF

1800 pF

1000 pF

390 pF

150 pF

0.018 µF

0.015 µF

0.012 µF

5600 pF

2200 pF

1200 pF

390 pF

0.018 µF

0.015 µF

5600 pF

2700 pF

1500 pF

470 pF

0.027 µF

0.022 µF

0.018 µF

8200 pF

3300 pF

1800 pF

470 pF

X7R Dielectric

Minimum

Maximum

0.010 µF

1000 pF

100 pF

10 pF

0.01 µF

1000 pF

100 pF

0.01 µF

1000 pF

100 pF

0.01 µF

1000 pF

100 pF

0.470 uF

0.330 uF

0.180 µF

0.100 µF

0.010 µF

6800 pF

2200 pF

1000 pF

680 pF

1.000 µF

0.270 µF

0.047 µF

0.022 µF

0.010 µF

2700 pF

1200 pF

820 pF

0.680 µF

0.470 µF

0.100 µF

0.047 µF

0.015 µF

3300 pF

2200 pF

1500 pF

1.000 µF

0.680 µF

0.220 µF

0.100 µF

0.022 µF

0.010 µF

3300 pF

1500 pF

S43 / 1812

E/B

.180 ±.010

.125 ±.010

.110 Max.

.025 ±.015

(4.57 ±.25)

(3.17 ±.25)

(2.80)

(0.64±.38)

S49 / 1825

E/B

.180 ±.010

.250 ±.010

.140 Max.

.025 ±.015

(4.57 ±.25)

(6.35 ±.25)

(3.56)

(0.64±.38)

S47 / 2220

E/B

.225 ±.015

.200 ±.015

.150 Max.

.025 ±.015

(5.72 ±.38)

(5.08 ±.38)

(3.81)

(0.64±.38)

S48 / 2225

E/B

.225 ±.010

.255 ±.015

.160 Max.

.025 ±.015

(5.72 ±.25)

(6.48 ±.38)

(4.06)

(0.64±.38)

Available cap. values include these significant retma values and their multiples: 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2

( 1.0 = 1.0, 10, 100, 1000, etc.) Consult factory for non-retma values and sizes or voltages not shown.

LECTRICAL

HARACTERISTICS

E/B

Meets the standard NPO & X7R dielectric specifications listed on page 20

Dielectric Withstanding Voltage

DWV = 1.5 X rated WVDC for ratings

≤

500 WVDC,

DWV = 1.2 X rated WVDC for ratings

≥

1,000 WVDC

NOTE: Capacitors may require a surface coating to prevent external arcing. Solder mask should not be used

beneath capacitors. For more information see JDI Tech Note “Surface Arc Season”

OW TO

RDER

IGH

OLTAGE

URFACE

OUNT

202

VOLTAGE

501 = 500 V

631 = 630 V

102 = 1000 V

202 = 2000 V

302 = 3000 V

402 = 4000 V

502 = 5000 V

602 = 6000 V

P/N written: 202R18W102KV4E

R18

SIZE

R15=0805

R18=1206

R29=1808

S41=1210

S43=1812

S47=2220

S48=2225

S49=1825

DIELECTRIC

N = NPO

W = X7R

102

CAPACITANCE

1st two digits are

significant; third digit

denotes number of

zeros.

102 = 1000 pF

104 = 0.10 µF

TOLERANCE

J = ± 5%

K = ± 10%

M = ± 20%

TERMINATION

V = NI Barrier with 100%

Sn Plating (Matte)

F = Polyterm

flexible termination

T = SnPb

MARKING

4 = Unmarked

6 = EIA Code

PACKING

E =Embossed 7”

T =Punched 7”

No code = bulk

Tape specs.

per EIA RS481

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华为公布“超导量子芯片”专利

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mcs51单片机有什么组成分别有什么功能作用

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iSuppli : 09年全球半导体产业急剧下滑

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陈中：电动汽车有望迎来无线充电时代

目前电动汽车充电方式主要有两种，最常见的就是慢速充电，需要八到十小时，这样长的时间令许多消费者很难接受。；另外一种则是快速充电，就是在十到二十分钟(目前最快的只需五分钟)，快充有它的优势也有不利的地方，假如未来电动汽车开始大规模发展，将对电网带来巨大的负荷压力。　　那么有没有办法解决让电动汽车充电更方便、更快捷呢？目前，国际上许多企业和组织已经将目光转向了无线充电。东南大学电气工程...[详细]
韩国平昌冬奥将于周五率先提供5G应用服务

当各大电信厂商陆续在多个城市建设5G基站之际，近日，5G迎来了重要时刻。据日经新闻2月4日报道，本周五（2月9日）开幕的韩国平昌冬奥将率先提供5G应用服务，用户可以直接在平昌冬奥会上亲身体验到5G速度。这也是全球5G实际服务首秀。据悉，本次5G服务是由韩国电信、三星、英特尔等公司联合支持提供。据悉，三星会在多个场馆提供200台支持5G的平板设备方便用户专用设备查看内容和赛程数据；韩国电信将在花...[详细]
中美贸易战缓和，近期内DRAM价格首次止跌回升

相隔10个月，全球半导体存储器DRAM价格首次止跌回升，外界分析指出，受日本对韩限制出口影响，企业大幅增加订单，导致价格上涨。据韩媒《etnews》报道，DRAMeXchange数据指出，以10日为基准，市面上最大宗的DDR4 8Gb（Gigabit）均价为3美元，和前一天相比上涨1.2％。自去年9月14日同一产品较前一天微幅上涨0.2％至7.4美元后，DDR4 8Gb价格便一路走跌...[详细]
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锂电池行业用工业机器人市场需求分析

据相关数据显示，2016年国内工业机器人销售再度创出新高，达到8.7万台，而截止2017年底，我国工业机器人产量达到13.1万台(套)，同比增长51%，预计今年销量持续稳定增长。未来3年复合年均增长率达到22%。可以说，“机器换人”浪潮正在席卷整个制造业！而对于近年来持续升温的锂电行业来说，“机器换人”似乎更迫在眉睫。新能源汽车的爆发带动了锂电行业的新发展，锂电池需求量不断攀升，但当...[详细]
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高通服软了？你想简单了

虽处罚结果已经公布数日，并且高通已按期缴纳罚款，但高通反垄断案仍在持续发酵。　　春节前，手机芯片巨头美国高通公司宣布与中国国家发展和改革委员会（以下简称发改委）就反垄断案达成解决方案，以高通支付60.88亿人民币（基于当前汇率约9.75亿美元）罚款，并进行业务整改为代价，结束了中国对其持续近15个月的反垄断调查。　　发改委表示，经调查取证和分析论证，高通公司在CDMA、WCDMA、LT...[详细]
长安A800多少钱？

了解车的朋友都应该知道，低端MPV市场，一直都是被五菱和长安统治着，这也不奇怪，毕竟长安是靠面包车起家的，打造低端的MPV自然不再话下。　　长安A800的前脸看上去，很有视觉力，看上去对得起它的售价　　咋们老百姓买车，图的就是一个实惠和可靠，不求车有多牛，只求稳定耐用点　　长安A800侧面看上去也很协调，完全不比宝骏730差　　都说一台MPV好不好看，完全就要看尾...[详细]
聊聊小米赴港IPO：凭什么估值近千亿

在武汉举行的小米6X发布会上，雷布斯那句“小米硬件综合净利润率永不超过5%”引得台下一片沸腾。与之相对，宣布将近期赴港IPO的小米，面对的却是对薄利政策忧心忡忡的投资者们。　　小米趟进资本的浑水之前，一切都存在未知的变数。比较有想象力的分析者认为，小米此次IPO，可以达到2000亿美元的估值，也有比较保守人士，认为500亿美元是小米该有的定位。小米究竟该值多少钱，这次IPO又会对小米产品带来...[详细]
质优价廉低功耗：采用GAP9 AI算力处理器的智能可听耳机设备

当今世界，智能可听设备已经成为了流行趋势。随后耳机市场的不断成长起来，消费者又对AI-ANC，AI-ENC（环境噪音消除）降噪的需求逐年增加，但是，用户对于产品体验的需求也从简单的需求，升级到更高的标准，AI功能已经成为高端耳机的标配和卖点，制造商可以利用该特性打造差异化的产品。譬如，市面上不仅涌现了大量的以清晰通话为卖点的TWS耳机，而且客户对耳塞与耳部贴合舒适度有极大的要求！总之：音质...[详细]