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3D3D8G32YB2496MS-00

DDR DRAM, 256MX32, CMOS, PBGA136, BGA-136

器件类别:存储    存储   

厂商名称:3D PLUS

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器件参数
参数名称
属性值
Objectid
1842937404
包装说明
FBGA,
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
其他特性
SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM
JESD-30 代码
R-PBGA-B136
长度
14.8 mm
内存密度
8589934592 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
32
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
136
字数
268435456 words
字数代码
256000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
256MX32
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
座面最大高度
3.3 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.45 V
最小供电电压 (Vsup)
1.283 V
标称供电电压 (Vsup)
1.35 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
宽度
10.8 mm
参数对比
与3D3D8G32YB2496MS-00相近的元器件有:3D3D8G32YB2496-C-H9、3D3D8G32YB2496-I-F8、3D3D8G32YB2496-I-H9、3D3D8G32YB2496-M-H9、3D3D8G32YB2496C、3D3D8G32YB2496CN-00、3D3D8G32YB2496I、3D3D8G32YB2496IBH-00。描述及对比如下:
型号 3D3D8G32YB2496MS-00 3D3D8G32YB2496-C-H9 3D3D8G32YB2496-I-F8 3D3D8G32YB2496-I-H9 3D3D8G32YB2496-M-H9 3D3D8G32YB2496C 3D3D8G32YB2496CN-00 3D3D8G32YB2496I 3D3D8G32YB2496IBH-00
描述 DDR DRAM, 256MX32, CMOS, PBGA136, BGA-136 DRAM DRAM DRAM DRAM DDR DRAM, 256MX32, CMOS, PBGA136, BGA-136 DDR DRAM, 256MX32, CMOS, PBGA136, BGA-136 DDR DRAM, 256MX32, CMOS, PBGA136, BGA-136 DDR DRAM, 256MX32, CMOS, PBGA136, BGA-136
Objectid 1842937404 114111909 114111907 114111910 114111911 1329860105 1842937402 1329860106 1842937466
包装说明 FBGA, , , , , FBGA, FBGA, FBGA, FBGA,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST - - - - MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM - - - - ALSO OPERATES AT 1.5V; SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM ALSO OPERATES AT 1.5V; SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM
JESD-30 代码 R-PBGA-B136 - - - - R-PBGA-B136 R-PBGA-B136 R-PBGA-B136 R-PBGA-B136
长度 14.8 mm - - - - 14.8 mm 14.8 mm 14.8 mm 14.8 mm
内存密度 8589934592 bit - - - - 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM - - - - DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 32 - - - - 32 32 32 32
功能数量 1 - - - - 1 1 1 1
端口数量 1 - - - - 1 1 1 1
端子数量 136 - - - - 136 136 136 136
字数 268435456 words - - - - 268435456 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words
字数代码 256000000 - - - - 256000000 256000000 256000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS - - - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C - - - - 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C
组织 256MX32 - - - - 256MX32 256MX32 256MX32 256MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA - - - - FBGA FBGA FBGA FBGA
封装形状 RECTANGULAR - - - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH - - - - GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
座面最大高度 3.3 mm - - - - 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm
自我刷新 YES - - - - YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.45 V - - - - 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V
最小供电电压 (Vsup) 1.283 V - - - - 1.283 V 1.283 V 1.283 V 1.283 V
标称供电电压 (Vsup) 1.35 V - - - - 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V
表面贴装 YES - - - - YES YES YES YES
技术 CMOS - - - - CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY - - - - COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL - - - - BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm - - - - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM - - - - BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 10.8 mm - - - - 10.8 mm 10.8 mm 10.8 mm 10.8 mm
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