型号
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| 型号 | 3DFN32G64VB8263CN-00 | 3DFN32G64VB8263-CN-A25 | 3DFN32G64VB8263CN |
|---|---|---|---|
| 描述 | Flash, 512MX64, PBGA120, BGA-120 | Flash Memory | Flash, 512MX64, PBGA120, 1.27 MM PITCH, BGA-120 |
| 包装说明 | BGA-120 | , | 1.27 MM PITCH, BGA-120 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow | unknown |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B120 | - | R-PBGA-B120 |
| 长度 | 24 mm | - | 24 mm |
| 内存密度 | 34359738368 bit | - | 34359738368 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | - | FLASH |
| 内存宽度 | 64 | - | 64 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 120 | - | 120 |
| 字数 | 536870912 words | - | 536870912 words |
| 字数代码 | 512000000 | - | 512000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C |
| 组织 | 512MX64 | - | 512MX64 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | - | BGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | - | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 编程电压 | 2.7 V | - | 3.3 V |
| 座面最大高度 | 13.1 mm | - | 13.1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | - | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL |
| 端子形式 | BALL | - | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM |
| 类型 | NAND TYPE | - | NAND TYPE |
| 宽度 | 13.9 mm | - | 13.9 mm |