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3N259

2A, 1000V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Motorola ( NXP )

厂商官网:https://www.nxp.com

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供应商:

器件:3N259

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
R-PSIP-T4
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
UL RECOGNIZED
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.1 V
JESD-30 代码
R-PSIP-T4
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值正向电流
60 A
元件数量
4
相数
1
端子数量
4
最高工作温度
165 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
2 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
1000 V
最大反向电流
10 µA
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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