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5962-01-385-6423

FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
50 ns
最大时钟频率 (fCLK)
15 MHz
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存集成电路类型
OTHER FIFO
内存宽度
9
端子数量
28
字数
256 words
字数代码
256
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256X9
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.0005 A
最大压摆率
0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
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