首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

5962-8956805ZA

FIFO, 4KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, CC-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
QFN
包装说明
CERAMIC, CC-32
针数
32
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
40 ns
其他特性
RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)
20 MHz
周期时间
50 ns
JESD-30 代码
R-CQCC-N32
JESD-609代码
e0
长度
13.97 mm
内存密度
36864 bit
内存集成电路类型
OTHER FIFO
内存宽度
9
功能数量
1
端子数量
32
字数
4096 words
字数代码
4000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
4KX9
输出特性
3-STATE
可输出
NO
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QCCN
封装等效代码
LCC32,.45X.55
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883
座面最大高度
3.048 mm
最大待机电流
0.004 A
最大压摆率
0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
宽度
11.43 mm
Base Number Matches
1
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
需要登录后才可以下载。
登录取消