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5962-89841063X

FLASH PLD, 15 ns, CDIP24
闪存可编程逻辑器件, 15 ns, CDIP24

器件类别:可编程逻辑器件    可编程逻辑   

厂商名称:Atmel (Microchip)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
QLCC
包装说明
QCCN,
针数
28
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
3A001.A.2.C
最大时钟频率
90 MHz
JESD-30 代码
S-CQCC-N28
JESD-609代码
e0
长度
11.45 mm
专用输入次数
11
I/O 线路数量
10
端子数量
28
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O
输出函数
MACROCELL
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QCCN
封装形状
SQUARE
封装形式
CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
可编程逻辑类型
FLASH PLD
传播延迟
10 ns
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883
座面最大高度
2.54 mm
最大供电电压
5.5 V
最小供电电压
4.5 V
标称供电电压
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
11.45 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与5962-89841063X相近的元器件有:ATF22V10B_10、5962-89841033X、5962-8984103LA、5962-8984106LA。描述及对比如下:
型号 5962-89841063X ATF22V10B_10 5962-89841033X 5962-8984103LA 5962-8984106LA
描述 FLASH PLD, 15 ns, CDIP24 FLASH PLD, 15 ns, CDIP24 FLASH PLD, 15 ns, CDIP24 FLASH PLD, 15 ns, CDIP24 FLASH PLD, 10 ns, CDIP24
端子数量 28 24 28 24 24
组织 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O
可编程逻辑类型 FLASH PLD FLASH PLD FLASH PLD FLASH PLD FLASH PLD
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 QUAD DUAL QUAD DUAL DUAL
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QLCC - QLCC DIP DIP
包装说明 QCCN, - QCCN, DIP, DIP24,.3 CERAMIC, DIP-24
针数 28 - 28 24 24
Reach Compliance Code compli - compli compli unknow
ECCN代码 3A001.A.2.C - 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最大时钟频率 90 MHz - 55.5 MHz 50 MHz 76.9 MHz
JESD-30 代码 S-CQCC-N28 - S-CQCC-N28 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0
长度 11.45 mm - 11.45 mm 32 mm 32 mm
专用输入次数 11 - 11 11 11
I/O 线路数量 10 - 10 10 10
最高工作温度 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C
输出函数 MACROCELL - MACROCELL MACROCELL MACROCELL
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCN - QCCN DIP DIP
封装形状 SQUARE - SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER - CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
传播延迟 10 ns - 15 ns 15 ns 10 ns
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 - MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883
座面最大高度 2.54 mm - 2.54 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES - YES NO NO
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
端子面层 TIN LEAD - TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11.45 mm - 11.45 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 - 1 1 1
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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