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5962-9559506HMX

Cache SRAM Module, 128KX32, 45ns, CMOS, CQMA68, 0.880 X 0.880 INCH, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68

器件类别：存储存储

厂商名称：Cobham Semiconductor Solutions

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参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Cobham Semiconductor Solutions

零件包装代码

QMA

包装说明

针数

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

3A001.A.2.C

最长访问时间

45 ns

其他特性

CONFIGURABLE AS 512K X 8

备用内存宽度

JESD-30 代码

S-CQMA-G68

内存密度

4194304 bit

内存集成电路类型

CACHE SRAM MODULE

内存宽度

功能数量

端子数量

字数

131072 words

字数代码

128000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

125 °C

最低工作温度

-55 °C

组织

128KX32

封装主体材料

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

封装形状

SQUARE

封装形式

MICROELECTRONIC ASSEMBLY

并行/串行

PARALLEL

认证状态

Not Qualified

筛选级别

MIL-STD-883

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

MILITARY

端子形式

GULL WING

端子位置

QUAD

Base Number Matches

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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