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5962R1020502VXC

Memory Circuit, 1MX39, CMOS, CQFP132, QFP-132

器件类别：存储    存储   

厂商名称：Cobham PLC

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Cobham PLC
包装说明
GQFF,
Reach Compliance Code
unknown
JESD-30 代码
S-CQFP-F132
长度
23.04 mm
内存密度
40894464 bit
内存集成电路类型
MEMORY CIRCUIT
内存宽度
39
功能数量
1
端子数量
132
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
组织
1MX39
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
GQFF
封装形状
SQUARE
封装形式
FLATPACK, GUARD RING
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度
8.08 mm
最大供电电压 (Vsup)
2 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.9 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
端子形式
FLAT
端子节距
0.635 mm
端子位置
QUAD
总剂量
100k Rad(Si) V
宽度
23.04 mm
文档预览
Standard Products
UT8R1M39 40Megabit SRAM MCM
UT8R2M39 80Megabit SRAM MCM
UT8R4M39 160Megabit SRAM MCM
Data Sheet
June 2015
The most important thing we build is trust
FEATURES
20ns Read, 10ns Write maximum access times available
Functionally compatible with traditional 1M, 2M, or 4M x
39 SRAM devices
CMOS compatible input and output levels, three-state
bidirectional data bus
- I/O Voltages 2.3V to 3.6V, 1.7V to 2.0V core
Available densities:
- UT8R1M39: 40, 894, 464 bits
- UT8R2M39: 81, 788, 928 bits
- UT8R4M39: 163, 577, 856 bits
Operational Environment:
- Total-dose: 100 krad(Si)
- SEL Immune: <110 MeV-cm
2
/mg
- SEU error rate = 7.3x10
-7
errors/bit-day assuming
geosynchronous orbit, Adam’s 90% worst environment.
Packaging options:
- 132-lead side-brazed dual cavity ceramic quad flatpack
Standard Microelectronics Drawing:
- UT8R1M39: 5962-10205
- QML Q, Q+ and V compliant
- UT8R2M39: 5962-10206
- QML Q, Q+, and Vcompliant
- UT8R4M39: 5962-10207
- QML Q and Q+ compliant part
INTRODUCTION
The UT8R1M39, UT8R2M39, and UT8R4M39 are high
performance CMOS static RAM multichip modules (MCMs)
organized as two, four or eight individual 524,288 words x 39
bits dice respectively. Easy memory expansion is provided by
active LOW chip enables (En), an active LOW output enable
(G), and three-state drivers. This device has a power-down
feature that reduces power consumption by more than 90% when
deselected.
Writing to the device is accomplished by driving one of the chip
enable (En) inputs LOW and the write enable (W) input LOW.
Data on the 39 I/O pins (DQ0 through DQ38) is then written into
the location specified on the address pins (A0 through A18).
Reading from the device is accomplished by driving one of the
chip enables (En) and output enable (G) LOW while driving
write enable (W) HIGH. Under these conditions, the contents of
the memory location specified by the address pins will appear
on the I/O pins.
Note:
Only one En pin may be active at any time.
The 39 input/output pins (DQ0 through DQ38) are placed in a
high impedance state when the device is deselected (En HIGH),
the outputs are disabled (G HIGH), or during a write operation
(En LOW, W LOW).
Figure 1. Block Diagram
36-00-01-008
Version 1.0.0
-1-
Cobham Semiconductor Solutions
Aeroflex.com/Memories
June 2015
36-00-01-008
Version 1.0.0
TOP_DQ34
A11
A12
A13
VSS
NC
NC
NC
VDD2
NC
VDD1
E7# (NC)
E5# (NC)
E3# (NC)
E1#
VDD1
G#
VSS
E2#
E4# (NC)
E6# (NC)
E8# (NC)
VDD1
VDD2
VSS
VSS
NC
NC
VSS
A14
A15
A16
BOT_DQ34
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
TOP_DQ38
BOT_DQ38
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD2
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VDD1
VSS
NC
VDD2
NC
VDD2
NC
VSS
VDD1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VSS
VDD2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
TOP_DQ32
TOP_DQ33
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
132
131
130
129
128
127
126
125
124
123
1
122
121
120
119
118
117
116
115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
104
103
102
101
100
BOT_DQ37
TOP_DQ37
A0
A1
A2
A3
VDD1
VSS
A4
A5
A17
NC
VDD1
NC
NC
VSS
NC
VDD1
NC
NC
VDD1
NC
A18
W#
A6
VSS
VDD1
A7
A8
A9
A10
TOP_DQ36
BOT_DQ36
40M /80M/ 160M
2-, 4-, 8- Die
SRAM MCM Module
(0.90” Square, 132-lead Side-Brazed Dual Cavity
Ceramic Flatpack)
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
TOP_DQ35
BOT_DQ35
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VDD2
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VDD1
VSS
NC
VDD2
NC
VDD2
NC
VSS
VDD1
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
VDD2
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
BOT_DQ32
BOT_DQ33
Notes:
1. NC=Pins are not connected on die.
2. (NC) = Depending on product version, the pin may be either an enable signal as named or NC.
3. Each TOP and BOT signal for DQ38 through DQ32 must be externally connected
by user.
Figure 2. Pin Diagram
-2-
Cobham Semiconductor Solutions
Aeroflex.com/Memories
June 2015
Table 1. Device Option: Signal and Pin Description
Package Pin
Number
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
UT8R1M39
Signal Name
TOP_DQ38
BOT_DQ38
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD2
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VDD1
VSS
NC
VDD2
NC
VDD2
NC
VSS
VDD1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VSS
VDD2
DQ12
DQ13
UT8R2M39
Signal Name
TOP_DQ38
BOT_DQ38
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD2
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VDD1
VSS
NC
VDD2
NC
VDD2
NC
VSS
VDD1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VSS
VDD2
DQ12
DQ13
UT8R4M39
Signal Name
TOP_DQ38
BOT_DQ38
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD2
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VDD1
VSS
NC
VDD2
NC
VDD2
NC
VSS
VDD1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VSS
VDD2
DQ12
DQ13
Device Pin
Description
Data I/O
1
Data I/O
1
Data I/O
Data I/O
Data I/O
Data I/O
PWR
PWR
Data I/O
Data I/O
Data I/O
Data I/O
PWR
PWR
NC
PWR
NC
PWR
NC
PWR
PWR
Data I/O
Data I/O
Data I/O
Data I/O
PWR
PWR
Data I/O
Data I/O
36-00-01-008
Version 1.0.0
-3-
Cobham Semiconductor Solutions
Aeroflex.com/Memories
June 2015
Table 1. Device Option: Signal and Pin Description
Package Pin
Number
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
UT8R1M39
Signal Name
DQ14
DQ15
TOP_DQ32
TOP_DQ33
TOP_DQ34
A11
A12
A13
VSS
NC
NC
NC
VDD2
NC
VDD1
NC
NC
NC
E1#
VDD1
G#
VSS
E2#
NC
NC
NC
VDD1
VDD2
VSS
VSS
NC
UT8R2M39
Signal Name
DQ14
DQ15
TOP_DQ32
TOP_DQ33
TOP_DQ34
A11
A12
A13
VSS
NC
NC
NC
VDD2
NC
VDD1
NC
NC
E3#
E1#
VDD1
G#
VSS
E2#
E4#
NC
NC
VDD1
VDD2
VSS
VSS
NC
UT8R4M39
Signal Name
DQ14
DQ15
TOP_DQ32
TOP_DQ33
TOP_DQ34
A11
A12
A13
VSS
NC
NC
NC
VDD2
Nc
VDD1
E7#
E5#
E3#
E1#
VDD1
G#
VSS
E2#
E4#
E6#
E8#
VDD1
VDD2
VSS
VSS
NC
Device Pin
Description
Data I/O
Data I/O
Data I/O
1
Data I/O
1
Data I/O
1
ADDRESS INPUT
ADDRESS INPUT
ADDRESS INPUT
PWR
NC
NC
NC
PWR
NC
PWR
CONTROL INPUT
2
CONTROL INPUT
2
CONTROL INPUT
2
CONTROL INPUT
PWR
CONTROL INPUT
PWR
CONTROL INPUT
CONTROL INPUT
2
CONTROL INPUT
2
CONTROL INPUT
2
PWR
PWR
PWR
PWR
NC
36-00-01-008
Version 1.0.0
-4-
Cobham Semiconductor Solutions
Aeroflex.com/Memories
June 2015
Table 1. Device Option: Signal and Pin Description
Package Pin
Number
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
UT8R1M39
Signal Name
NC
VSS
A14
A15
A16
BOT_DQ34
BOT_DQ33
BOT_DQ32
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
VDD2
VSS
DQ27
DQ26
DQ25
DQ24
VDD1
VSS
NC
VDD2
NC
VDD2
NC
VSS
VDD1
DQ23
DQ22
DQ21
UT8R2M39
Signal Name
NC
VSS
A14
A15
A16
BOT_DQ34
BOT_DQ33
BOT_DQ32
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
VDD2
VSS
DQ27
DQ26
DQ25
DQ24
VDD1
VSS
NC
VDD2
NC
VDD2
NC
VSS
VDD1
DQ23
DQ22
DQ21
UT8R4M39
Signal Name
NC
VSS
A14
A15
A16
BOT_DQ34
BOT_DQ33
BOT_DQ32
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
VDD2
VSS
DQ27
DQ26
DQ25
DQ24
VDD1
VSS
NC
VDD2
NC
VDD2
NC
VSS
VDD1
DQ23
DQ22
DQ21
Device Pin
Description
NC
PWR
ADDRESS INPUT
ADDRESS INPUT
ADDRESS INPUT
Data I/O
1
Data I/O
1
Data I/O
1
Data I/O
Data I/O
Data I/O
Data I/O
PWR
1
PWR
Data I/O
Data I/O
Data I/O
Data I/O
PWR
PWR
NC
PWR
NC
PWR
NC
PWR
PWR
Data I/O
Data I/O
Data I/O
36-00-01-008
Version 1.0.0
-5-
Cobham Semiconductor Solutions
Aeroflex.com/Memories
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参数对比
与5962R1020502VXC相近的元器件有：UT8R4M39-25XFC、5962R1020701QXC、UT8R1M39-21XPC、5962R1020601VXC、5962R1020602QXC、UT8R4M39-25XPC、UT8R2M39-22XFC、5962R1020601QXC、5962R1020702QXC。描述及对比如下：
型号 5962R1020502VXC UT8R4M39-25XFC 5962R1020701QXC UT8R1M39-21XPC 5962R1020601VXC 5962R1020602QXC UT8R4M39-25XPC UT8R2M39-22XFC 5962R1020601QXC 5962R1020702QXC
描述 Memory Circuit, 1MX39, CMOS, CQFP132, QFP-132 SRAM Module, 4MX39, 25ns, CMOS, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132 Memory Circuit, 4MX39, CMOS, CQFP132, QFP-132 SRAM Module, 1MX1, 20ns, CMOS, CQFP132, 0.900 INCH, QFP-132 Memory Circuit, 2MX39, CMOS, CQFP132, QFP-132 Memory Circuit, 2MX39, CMOS, CQFP132, QFP-132 SRAM Module, 4MX39, 25ns, CMOS, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132 SRAM Module, 2MX39, 22ns, CMOS, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132 SRAM Module, 2MX39, 22ns, CMOS, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132 Memory Circuit, 4MX39, CMOS, CQFP132, QFP-132
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 GQFF, GQFP, TPAK132,1.8SQ,25 GQFF, TPAK132,1.8SQ,25 0.900 INCH, QFP-132 GQFF, TPAK132,1.8SQ,25 GQFF, TPAK132,1.8SQ,25 GQFF, TPAK132,1.8SQ,25 GQFF, TPAK132,1.8SQ,25 GQFF, TPAK132,1.8SQ,25 GQFF, TPAK132,1.8SQ,25
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
JESD-30 代码 S-CQFP-F132 S-CQFP-G132 S-CQFP-F132 S-CQFP-F132 S-CQFP-F132 S-CQFP-F132 S-CQFP-F132 S-CQFP-F132 S-CQFP-F132 S-CQFP-F132
内存密度 40894464 bit 163577856 bit 163577856 bit 1048576 bit 81788928 bit 81788928 bit 163577856 bit 81788928 bit 81788928 bit 163577856 bi
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT SRAM MODULE MEMORY CIRCUIT SRAM MODULE MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 39 39 39 1 39 39 39 39 39 39
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 132 132 132 132 132 132 132 132 132 132
字数 1048576 words 4194304 words 4194304 words 1048576 words 2097152 words 2097152 words 4194304 words 2097152 words 2097152 words 4194304 words
字数代码 1000000 4000000 4000000 1000000 2000000 2000000 4000000 2000000 2000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
组织 1MX39 4MX39 4MX39 1MX1 2MX39 2MX39 4MX39 2MX39 2MX39 4MX39
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 GQFF GQFP GQFF QFF GQFF GQFF GQFF GQFF GQFF GQFF
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, GUARD RING FLATPACK, GUARD RING FLATPACK, GUARD RING FLATPACK FLATPACK, GUARD RING FLATPACK, GUARD RING FLATPACK, GUARD RING FLATPACK, GUARD RING FLATPACK, GUARD RING FLATPACK, GUARD RING
认证状态 Not Qualified Not Qualified Qualified Not Qualified Qualified Qualified Not Qualified Not Qualified Qualified Qualified
最大供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 FLAT GULL WING FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
厂商名称 Cobham PLC - - - Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC
长度 23.04 mm 22.86 mm 23.04 mm - 23.04 mm 23.04 mm 23.04 mm 23.04 mm 23.04 mm 23.04 mm
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V 38535Q/M;38534H;883B MIL-PRF-38535 Class Q - MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class Q MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度 8.08 mm 7.87 mm 8.08 mm - 8.08 mm 8.08 mm 7.71 mm 7.71 mm 7.71 mm 7.71 mm
标称供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V - 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
端子节距 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm - 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V - 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V - 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
宽度 23.04 mm 22.86 mm 23.04 mm - 23.04 mm 23.04 mm 23.04 mm 23.04 mm 23.04 mm 23.04 mm
最长访问时间 - 25 ns 25 ns 20 ns 22 ns 22 ns 25 ns 22 ns 22 ns 25 ns
I/O 类型 - COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
最高工作温度 - 105 °C 105 °C - 105 °C 105 °C - 105 °C 105 °C 105 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C - -55 °C -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C
输出特性 - 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 - TPAK132,1.8SQ,25 TPAK132,1.8SQ,25 - TPAK132,1.8SQ,25 TPAK132,1.8SQ,25 TPAK132,1.8SQ,25 TPAK132,1.8SQ,25 TPAK132,1.8SQ,25 TPAK132,1.8SQ,25
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 - 1.8,2.5/3.3 V 1.8,2.5/3.3 V - 1.8,2.5/3.3 V 1.8,2.5/3.3 V - 1.8,2.5/3.3 V 1.8,2.5/3.3 V 1.8,2.5/3.3 V
最大待机电流 - 0.188 A 0.188 A - 0.094 A 0.035 A 0.003 A 0.035 A 0.035 A 0.035 A
最小待机电流 - 1 V 1 V - 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
最大压摆率 - 0.225 mA 0.225 mA - 0.225 mA 0.225 mA 0.23 mA 0.225 mA 0.225 mA 0.23 mA
温度等级 - OTHER OTHER - OTHER OTHER - OTHER OTHER OTHER
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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