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6116LA25TPB

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

器件类别：存储存储

厂商名称：IDT (Integrated Device Technology)

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

IDT (Integrated Device Technology)

零件包装代码

DIP

包装说明

DIP,

针数

24

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

3A001.A.2.C

最长访问时间

25 ns

JESD-30 代码

R-PDIP-T24

JESD-609代码

e0

内存密度

16384 bit

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

8

功能数量

1

端子数量

24

字数

2048 words

字数代码

2000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

125 °C

最低工作温度

-55 °C

组织

2KX8

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

DIP

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

认证状态

Not Qualified

筛选级别

MIL-STD-883 Class B

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

NO

技术

CMOS

温度等级

MILITARY

端子面层

TIN LEAD

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

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