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6116LA35PB

Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

器件类别:存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP,
针数
24
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A001.A.2.C
Is Samacsys
N
最长访问时间
35 ns
JESD-30 代码
R-PDIP-T24
JESD-609代码
e0
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
24
字数
2048 words
字数代码
2000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
2KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883 Class B
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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