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6116SA35TDB

CDIP-24, Tube

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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6116SA35TDB 在线购买

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器件:6116SA35TDB

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Integrated Device Technology
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
CDIP
包装说明
DIP, DIP24,.3
针数
24
制造商包装代码
SD24
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
3A001.A.2.C
Samacsys Description
CERDIP 300 MIL
最长访问时间
35 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-CDIP-T24
JESD-609代码
e0
长度
32.004 mm
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端子数量
24
字数
2048 words
字数代码
2000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
2KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP24,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
240
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883 Class B
座面最大高度
5.08 mm
最大待机电流
0.01 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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