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7005L70JGB

Dual-Port SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
LCC
包装说明
QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数
68
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
70 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-PQCC-J68
JESD-609代码
e3
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
DUAL-PORT SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
68
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装等效代码
LDCC68,1.0SQ
封装形状
SQUARE
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.004 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
30
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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