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7006S55XL

Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, LCC-68

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1156988702
包装说明
QCCN, LCC68,.56SQ,25
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
55 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-XQCC-N68
JESD-609代码
e0
内存密度
131072 bit
内存集成电路类型
MULTI-PORT SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
68
字数
16384 words
字数代码
16000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
QCCN
封装等效代码
LCC68,.56SQ,25
封装形状
SQUARE
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.015 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.335 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.635 mm
端子位置
QUAD
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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