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70T651S12BCG

Dual-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
BGA
包装说明
LBGA, BGA256,16X16,40
针数
256
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
12 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-PBGA-B256
JESD-609代码
e1
长度
17 mm
内存密度
9437184 bit
内存集成电路类型
DUAL-PORT SRAM
内存宽度
36
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
256
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX36
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装等效代码
BGA256,16X16,40
封装形状
SQUARE
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
2.5,2.5/3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.5 mm
最大待机电流
0.01 A
最小待机电流
2.4 V
最大压摆率
0.355 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.4 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
17 mm
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器件捷径:
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