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70V659S15DR

PQFP-208, Tray

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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70V659S15DR 在线购买

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器件:70V659S15DR

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Integrated Device Technology
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
PQFP
包装说明
28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
针数
208
制造商包装代码
DR208
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
15 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-PQFP-G208
JESD-609代码
e0
长度
28 mm
内存密度
4718592 bit
内存集成电路类型
DUAL-PORT SRAM
内存宽度
36
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
208
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
128KX36
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FQFP
封装等效代码
QFP208,1.2SQ,20
封装形状
SQUARE
封装形式
FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
2.5/3.3,3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.1 mm
最大待机电流
0.015 A
最小待机电流
3.15 V
最大压摆率
0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.45 V
最小供电电压 (Vsup)
3.15 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
28 mm
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