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71V416YL15YGI

Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-44

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
包装说明
0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-44
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
15 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J44
JESD-609代码
e3
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
16
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
44
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
256KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ44,.44
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.01 A
最小待机电流
3 V
最大压摆率
0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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