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72131S120CB

FIFO, 2KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1156949355
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
120 ns
最大时钟频率 (fCLK)
7.1 MHz
JESD-30 代码
R-XDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
18432 bit
内存集成电路类型
OTHER FIFO
内存宽度
9
端子数量
28
字数
2048 words
字数代码
2000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
2KX9
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流
0.012 A
最大压摆率
0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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