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7M134S120CB

-0, Tube

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Integrated Device Technology
是否无铅
含铅
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
包装说明
DIP, DIP58,.6
针数
0
制造商包装代码
SB58
Reach Compliance Code
not_compliant
最长访问时间
120 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDIP-T58
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
端口数量
2
端子数量
58
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP58,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流
0.12 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.38 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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