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7M205S55C

FIFO, 8KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1156949886
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
55 ns
JESD-30 代码
R-XDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
73728 bit
内存集成电路类型
OTHER FIFO
内存宽度
9
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX9
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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器件捷径:
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