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7M864L-120CC

SRAM Module, 8KX8, 120ns, CMOS, CDIP28

器件类别：存储存储

厂商名称：IDT (Integrated Device Technology)

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

Objectid

1156990414

Reach Compliance Code

not_compliant

ECCN代码

3A001.A.2.C

最长访问时间

120 ns

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-XDIP-T28

JESD-609代码

e0

内存密度

65536 bit

内存集成电路类型

SRAM MODULE

内存宽度

8

端子数量

28

字数

8192 words

字数代码

8000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

125 °C

最低工作温度

-55 °C

组织

8KX8

输出特性

3-STATE

封装主体材料

CERAMIC

封装代码

DIP

封装等效代码

DIP28,.6

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

260

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

最大待机电流

0.0012 A

最小待机电流

2 V

最大压摆率

0.18 mA

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

NO

技术

CMOS

温度等级

MILITARY

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

6

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