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SRAM Module, 2MX8, 85ns, CMOS, PSIP36, PLASTIC, SIP-36
器件类别：存储
厂商名称：IDT (Integrated Device Technology)
下载文档| 型号 | 7MP4059L85S | 7MP4059L70S |
|---|---|---|
| 描述 | SRAM Module, 2MX8, 85ns, CMOS, PSIP36, PLASTIC, SIP-36 | SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PSIP36, PLASTIC, SIP-36 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | SIP, SIP36 | SIP, SIP36 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 85 ns | 70 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T36 | R-PSIP-T36 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 36 | 36 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 2MX8 | 2MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SIP | SIP |
| 封装等效代码 | SIP36 | SIP36 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00025 A | 0.00025 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.11 mA | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
