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93LC56CT-I/MNY

EEPROM 2k 256X8 OR 128X16 SER EE IND

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Microchip(微芯科技)

厂商官网:https://www.microchip.com

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Microchip(微芯科技)
零件包装代码
DFN
包装说明
HVSON, SOLCC8,.11,20
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
5 weeks
备用内存宽度
8
最大时钟频率 (fCLK)
2 MHz
数据保留时间-最小值
200
耐久性
1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDSO-N8
JESD-609代码
e4
长度
3 mm
内存密度
2048 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
16
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端子数量
8
字数
128 words
字数代码
128
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128X16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
HVSON
封装等效代码
SOLCC8,.11,20
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行
SERIAL
座面最大高度
0.8 mm
串行总线类型
MICROWIRE
最大待机电流
0.000001 A
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
2.5 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
宽度
2 mm
写保护
SOFTWARE
参数对比
与93LC56CT-I/MNY相近的元器件有:93LC56AT-E-MNY、93LC56BT-I-MNY、93AA56A-I-SN、93LC56BT-E-MNY、93LC56CT-E/MNY、93C56CT-E/MNY、93C56AT-I/MNY、93C56AT-E/MNY。描述及对比如下:
型号 93LC56CT-I/MNY 93LC56AT-E-MNY 93LC56BT-I-MNY 93AA56A-I-SN 93LC56BT-E-MNY 93LC56CT-E/MNY 93C56CT-E/MNY 93C56AT-I/MNY 93C56AT-E/MNY
描述 EEPROM 2k 256X8 OR 128X16 SER EE IND EEPROM 2K 2.5V, 256 X 8 SERIAL EE, EXT EEPROM 2K 128X16 SER EE IND EEPROM 256x8 - 1.8V EEPROM 2K 2.5V, 128 X 16 SERIAL EE, EXT EEPROM 2k 256X8 OR 128X16 SER EE EXT EEPROM 2k, 256 X 8 OR 128X16 SERIAL EE,EXT EEPROM 2K 256X8 SER EE IND 电可擦除可编程只读存储器 2K 5.0V, 256 X 8 SERIAL EE, EXT
是否Rohs认证 符合 - - - - 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Microchip(微芯科技) - - - - Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
零件包装代码 DFN - - - - DFN DFN DFN DFN
包装说明 HVSON, SOLCC8,.11,20 - - - - HVSON, HVSON, HVSON, HVSON,
针数 8 - - - - 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant - - - - compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - - - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 5 weeks - - - - 5 weeks 5 weeks 5 weeks 5 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 2 MHz - - - - 2 MHz 3 MHz 3 MHz 3 MHz
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 - - - - R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 - - - - e4 e4 e4 e4
长度 3 mm - - - - 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm
内存密度 2048 bit - - - - 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit
内存集成电路类型 EEPROM - - - - EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 16 - - - - 16 16 8 8
湿度敏感等级 1 - - - - 1 1 1 1
功能数量 1 - - - - 1 1 1 1
端子数量 8 - - - - 8 8 8 8
字数 128 words - - - - 128 words 128 words 256 words 256 words
字数代码 128 - - - - 128 128 256 256
工作模式 SYNCHRONOUS - - - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - - - - 125 °C 125 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C - - - - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128X16 - - - - 128X16 128X16 256X8 256X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON - - - - HVSON HVSON HVSON HVSON
封装形状 RECTANGULAR - - - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE - - - - SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL - - - - SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
座面最大高度 0.8 mm - - - - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
串行总线类型 MICROWIRE - - - - MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - - - - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V - - - - 2.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V - - - - 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES - - - - YES YES YES YES
技术 CMOS - - - - CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - - - - AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE INDUSTRIAL AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - - - - Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD - - - - NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm - - - - 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL - - - - DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 2 mm - - - - 2 mm 2 mm 2 mm 2 mm
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