汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
772
晶½管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A105BJ-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1050×1050µm
2
焊½尺寸：B 极
280×345µm
2
；E 极
275×415µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：2SB772，HS772，H772
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（TO-126、TO-126ML）
T
stg
——贮存温度…………………………………-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
c
=25℃）………………… 10W
P
C
——集电极功率耗散（T
A
=25℃）……………………1W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………-40V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………-30V
V
EBO
——发射极—基极电压……………………………-5V
I
C
——集电极电流…………………………………………-3A
I
B
——基极电流…………………………………………-0.6A
（TO-126、TO-126ML）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
f
T
符
号 说 明
最小值 典型值 最大值 单 ½
-1
-1
400
-0.5
-2.0
µA
µA
V
V
pF
MHz
测 试
条 件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
共基极输出电容
特征频率
60
-0.3
-1.0
55
80
V
CB
=-30V, I
E
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
V
CE
=-2V, I
C
=-1A
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
V
CB
=-10V，I
E
=0，
f=1MHz
V
CE
=-5V，I
E
=-0.1A
