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ACT-RS128K32N-035P1Q

Cache SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, 0.245 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, PGA-66

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Cobham Semiconductor Solutions

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码
PGA
包装说明
PGA,
针数
66
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
35 ns
其他特性
USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16
JESD-30 代码
S-CPGA-P66
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
CACHE SRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
66
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
512KX8
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
PGA
封装形状
SQUARE
封装形式
GRID ARRAY
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
6.223 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
PIN/PEG
端子节距
2.54 mm
端子位置
PERPENDICULAR
Base Number Matches
1
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参数对比
与ACT-RS128K32N-035P1Q相近的元器件有:ACT-RS128K32N-045P1Q、ACT-RS128K32N-035F1Q、ACT-RS128K32N-045F1Q、ACT-RS128K32N-035F2Q、ACT-RS128K32N-045F2Q。描述及对比如下:
型号 ACT-RS128K32N-035P1Q ACT-RS128K32N-045P1Q ACT-RS128K32N-035F1Q ACT-RS128K32N-045F1Q ACT-RS128K32N-035F2Q ACT-RS128K32N-045F2Q
描述 Cache SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, 0.245 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, PGA-66 Cache SRAM Module, 512KX8, 45ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, 0.245 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, PGA-66 Cache SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CQMA68 Cache SRAM Module, 512KX8, 45ns, CMOS, CQMA68 Cache SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CQMA68 Cache SRAM Module, 512KX8, 45ns, CMOS, CQMA68
厂商名称 Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 35 ns 45 ns 35 ns 45 ns 35 ns 45 ns
其他特性 USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16 USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16 USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16 USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16 USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16 USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16
JESD-30 代码 S-CPGA-P66 S-CPGA-P66 S-CQMA-F68 S-CQMA-F68 S-CQMA-G68 S-CQMA-G68
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM MODULE CACHE SRAM MODULE CACHE SRAM MODULE CACHE SRAM MODULE CACHE SRAM MODULE CACHE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 66 66 68 68 68 68
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG FLAT FLAT GULL WING GULL WING
端子位置 PERPENDICULAR PERPENDICULAR QUAD QUAD QUAD QUAD
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