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ADG529FBP

IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PQCC20, PLASTIC, LCC-20, Multiplexer or Switch

器件类别:模拟混合信号IC    信号电路   

厂商名称:ADI(亚德诺半导体)

厂商官网:https://www.analog.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码
QLCC
包装说明
PLASTIC, LCC-20
针数
20
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION
模拟集成电路 - 其他类型
DIFFERENTIAL MULTIPLEXER
JESD-30 代码
S-PQCC-J20
JESD-609代码
e0
长度
8.9662 mm
标称负供电电压 (Vsup)
-15 V
信道数量
4
功能数量
1
端子数量
20
标称断态隔离度
68 dB
通态电阻匹配规范
10 Ω
最大通态电阻 (Ron)
300 Ω
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装等效代码
LDCC20,.4SQ
封装形状
SQUARE
封装形式
CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
12/+-15 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.57 mm
最大信号电流
0.02 A
最大供电电流 (Isup)
0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)
15 V
表面贴装
YES
最长断开时间
300 ns
最长接通时间
300 ns
切换
BREAK-BEFORE-MAKE
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
8.9662 mm
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参数对比
与ADG529FBP相近的元器件有:ADG529FBN、ADG529FTQ。描述及对比如下:
型号 ADG529FBP ADG529FBN ADG529FTQ
描述 IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PQCC20, PLASTIC, LCC-20, Multiplexer or Switch IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PDIP18, PLASTIC, DIP-18, Multiplexer or Switch IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, CDIP18, CERDIP-18, Multiplexer or Switch
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码 QLCC DIP DIP
包装说明 PLASTIC, LCC-20 PLASTIC, DIP-18 CERDIP-18
针数 20 18 18
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION
模拟集成电路 - 其他类型 DIFFERENTIAL MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER
JESD-30 代码 S-PQCC-J20 R-PDIP-T18 R-GDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V
信道数量 4 4 4
功能数量 1 1 1
端子数量 20 18 18
标称断态隔离度 68 dB 68 dB 68 dB
通态电阻匹配规范 10 Ω 10 Ω 10 Ω
最大通态电阻 (Ron) 300 Ω 300 Ω 300 Ω
最高工作温度 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCJ DIP DIP
封装等效代码 LDCC20,.4SQ DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 12/+-15 V 12/+-15 V 12/+-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.57 mm 5.33 mm 5.08 mm
最大信号电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A
最大供电电流 (Isup) 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V
表面贴装 YES NO NO
最长断开时间 300 ns 300 ns 300 ns
最长接通时间 300 ns 300 ns 300 ns
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8.9662 mm 7.62 mm 7.62 mm
长度 8.9662 mm 22.48 mm -
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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