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AH239-80

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 6.82pF C(T), 22V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Thales Group

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Thales Group
包装说明
O-XEMW-F2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最小击穿电压
22 V
配置
SINGLE
二极管电容容差
20%
标称二极管电容
6.82 pF
二极管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带
VERY HIGH FREQUENCY TO KA BAND
JESD-30 代码
O-XEMW-F2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
ROUND
封装形式
MICROWAVE
认证状态
Not Qualified
最小质量因数
1500
最大反向电流
0.1 µA
反向测试电压
10 V
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
END
变容二极管分类
HYPERABRUPT
Base Number Matches
1
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