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AM2864B-3LCB

EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

器件类别：存储    存储   

厂商名称：AMD(超微)

厂商官网：http://www.amd.com

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
AMD(超微)
零件包装代码
QFJ
包装说明
QCCN, LCC32,.45X.55
针数
32
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
300 ns
命令用户界面
NO
数据轮询
YES
JESD-30 代码
R-CQCC-N32
JESD-609代码
e0
长度
13.97 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QCCN
封装等效代码
LCC32,.45X.55
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
页面大小
32 words
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
电源
5 V
编程电压
5 V
认证状态
Not Qualified
就绪/忙碌
YES
座面最大高度
2.54 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.25 V
最小供电电压 (Vsup)
4.75 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
NMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
NO
宽度
11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)
10 ms
Base Number Matches
1
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