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AM28F020-120JI

2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory

器件类别：存储    存储   

厂商名称：AMD(超微)

厂商官网：http://www.amd.com

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
AMD(超微)
零件包装代码
QFJ
包装说明
QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数
32
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
120 ns
其他特性
10K WRITE/ERASE CYCLES MIN
命令用户界面
YES
数据轮询
NO
耐久性
10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PQCC-J32
JESD-609代码
e0
内存密度
2097152 bi
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
256KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装等效代码
LDCC32,.5X.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
电源
5 V
编程电压
12 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
NO
类型
NOR TYPE
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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