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AS5C512K8EC-30LE/XT

512K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, CDSO36
512K × 8 标准存储器, 15 ns, CDSO36

器件类别:存储   

厂商名称:AUSTIN

厂商官网:http://www.austinsemiconductor.com/

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器件参数
参数名称
属性值
功能数量
1
端子数量
36
最小工作温度
-55 Cel
最大工作温度
125 Cel
额定供电电压
5 V
最小供电/工作电压
4.5 V
最大供电/工作电压
5.5 V
加工封装描述
CERAMIC, SOJ-36
状态
Active
sub_category
SRAMs
ccess_time_max
15 ns
i_o_type
COMMON
jesd_30_code
R-CDSO-J36
jesd_609_code
e0
存储密度
4.19E6 bit
内存IC类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
moisture_sensitivity_level
NOT SPECIFIED
位数
524288 words
位数
512K
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
包装材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
ckage_code
SOJ
ckage_equivalence_code
SOJ36,.44
包装形状
RECTANGULAR
包装尺寸
SMALL OUTLINE
串行并行
PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_
NOT SPECIFIED
wer_supplies__v_
5
qualification_status
COMMERCIAL
seated_height_max
4.06 mm
standby_current_max
0.0150 Amp
standby_voltage_mi
4.5 V
最大供电电压
0.1000 Amp
表面贴装
YES
工艺
CMOS
温度等级
MILITARY
端子涂层
TIN LEAD
端子形式
J BEND
端子间距
1.27 mm
端子位置
DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_
NOT SPECIFIED
length
23.48 mm
width
11.35 mm
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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